[发明专利]可集成光电器件及其制作方法、多个光电器件的集成方法

权利要求书

1.一种可集成光电器件，其特征在于，所述光电器件包括：

基底，所述基底为多层结构，所述基底从底至顶底依次包括衬底以及在所述衬底上依次逐层生长出的第一N型接触层、N型包层、第二N型接触层、有源区、P型接触层和无定型硅波导层；

硅波导区，所述硅波导区通过将所述无定型硅波导层第一次刻蚀为条状结构形成，所述硅波导区的两侧均暴露出条状的P型接触层。

2.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件还包括：

III-V族化合物波导区，所述III-V族化合物波导区通过将所述P型接触层和所述有源区在所述硅波导区两侧进行第二次刻蚀为条状结构形成，所述III-V族化合物波导区的条状结构的宽度大于所述硅波导区的条状结构的宽度；

第三金属接触区，所述第三金属接触区为所述硅波导区的两侧均暴露出条状的P型接触层；

第二金属接触区，所述第二金属接触区为通过刻蚀掉所述III-V族化合物波导区两侧的部分P型接触层、有源区，使刻蚀后的P型接触层和有源区的两侧暴露出条状的部分第二N型接触层形成，所述P型接触层和所述有源区的刻蚀图形相同；

所述第二金属接触区和所述第三金属接触区通过EBeam形成金属接触。

3.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件还包括：

III-V族化合物波导区，所述III-V族化合物波导区通过将所述P型接触层、所述有源区、所述第二N型接触层、所述N型包层在所述硅波导区两侧进行第二次刻蚀为条状结构形成，所述III-V族化合物波导区的条状结构的宽度大于所述硅波导区的条状结构的宽度；

第三金属接触区，所述第三金属接触区为所述硅波导区的两侧均暴露出条状的部分P型接触层；

第一金属接触区，所述第一金属接触区通过刻蚀掉所述硅波导区两侧的部分P型接触层、有源区、第二N型接触层、N型包层，使刻蚀后的P型接触层、有源区、第二N型接触层、N型包层两侧暴露出条状的部分第一N型接触层形成，所述P型接触层和所述有源区、所述第二N型接触层、所述N型包层的刻蚀图形相同；

所述第一金属接触区和所述第三金属接触区通过EBeam形成金属接触。

4.如权利要求3所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件还包括：

电流隔离区，所述电流隔离区为刻蚀后的N型包层中进行离子注入或氧化的部分，所述电流隔离区位于所述硅波导区两侧对应的N型包层中；

刻蚀后的N型包层在经过离子注入或氧化后形成N型功能区，所述N型功能区包括所述电流隔离区。

5.一种可集成光电器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：

制作基底，所述基底从底至顶依次为衬底，在所述衬底上依次逐层生长形成的第一N型接触层、N型包层、第二N型接触层、有源区、P型接触层和有无定型硅波导层；

将所述无定型硅波导层第一次刻蚀为条状结构，使条状结构的无定型硅波导层的两侧均暴露出条状的P型接触层，将条状结构的无定型硅波导层作为硅波导区。

6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述将条状结构的无定型硅波导层作为硅波导区的步骤之后还包括下述步骤：

在所述硅波导区两侧通过第二次刻蚀形成的条状的P型接触层和有源区，作为III-V族化合物波导区，所述III-V族化合物波导区的条状结构的宽度大于所述硅波导区的条状结构的宽度；

第二次刻蚀后条状结构的P型接触层和有源区的两侧暴露出条状的第二N型接触层，将暴露的第二N型接触层作为第二金属接触区，所述P型接触层和所述有源区的刻蚀图形相同；

将条状结构的无定型硅波导层的两侧均暴露出条状的P型接触层作为第三金属接触区；

分别在所述第二金属接触区和所述第三金属接触区通过EBeam形成金属接触。