[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201710370298.9 | 申请日: | 2017-05-23 |
公开(公告)号: | CN107634640B | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 陈爽清;小川省吾 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H02M1/00 | 分类号: | H02M1/00;H02M1/08;G01R31/27 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,具备:
开关元件,其具有控制电极、第一主电极以及第二主电极;
栅极驱动电路,其连接在所述控制电极与所述第一主电极之间,输出用于对所述控制电极进行驱动的栅极驱动信号;
密勒电压检测器,其检测所述开关元件的所述控制电极与所述第一主电极间的关断时的密勒电压;
电流值检测电路,其检测流过所述开关元件的主电流;以及
温度计算电路,其根据所检测出的所述密勒电压和所述主电流来计算所述开关元件的温度。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述密勒电压检测器具备:
延迟电路,其输出使对所述栅极驱动电路进行控制的控制信号延迟而成的延迟信号;以及
电压检测电路,其在与所述延迟信号相应的时刻检测所述密勒电压的值。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
因所述延迟电路产生的延迟时间被设定为滞后时间与由所述开关元件的栅极电阻规定的密勒期间的1/2以上且5/6以下之和,所述滞后时间是所述控制信号与所述栅极驱动信号之间的滞后时间。
4.根据权利要求1~3中的任一项所述的半导体装置,其特征在于,
还具备判定电路,该判定电路判定所计算出的所述开关元件的温度是否低于规定的温度,
所述判定电路在判定为所计算出的所述开关元件的温度为所述规定的温度以上的情况下,输出用于停止所述开关元件的驱动的第一判定信号,
所述判定电路在判定为所计算出的所述开关元件的温度低于所述规定的温度的情况下,输出用于继续进行所述开关元件的驱动的第二判定信号。
5.根据权利要求1~3中的任一项所述的半导体装置,其特征在于,
所述密勒电压检测器检测所述开关元件的所述关断时的栅极电流的变化,根据所述栅极电流的变化的积分值来求出静电电容,根据所述静电电容来检测所述密勒电压。
6.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,
所述密勒电压检测器检测所述开关元件的所述关断时的栅极电流的变化,根据所述栅极电流的变化的积分值来求出静电电容,根据所述静电电容来检测所述密勒电压。
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