[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可屏蔽设备积累的静电与阵列基板的衬底背面相接触后，通过感应产生的ESD传输到阵列基板中的信号线和/或TFT元件上，提高了产品良率。该制备方法包括，在衬底基板上方形成栅线、数据线和薄膜晶体管的步骤；以及在前述步骤之前的，在衬底基板上依次形成静电屏蔽层、覆盖所述静电屏蔽层的隔离层的步骤；其中，所述静电屏蔽层的图案在所述衬底基板上的正投影覆盖待形成的所述栅线、所述数据线和所述薄膜晶体管中至少一者的图案在所述衬底基板上的正投影。用于阵列基板及包括该阵列基板的显示装置的制备。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

阵列基板，即形成有薄膜晶体管(Thin Film Transistor)的TFT基板是显示产品中的重要组成构件之一，在阵列基板的制备过程中，由于其衬底基板(通常为玻璃，GlassSubstrate)厚度较薄，在玻璃基板上进行的工艺制程又较多，在工艺过程中，玻璃基板会与设备发生多次接触，大大增加了设备机台积累的静电对玻璃基板上的TFT元件的影响，其中一些静电是在玻璃基板的背面与设备机台相接触的过程中造成的，比如玻璃基板与用于运输的滚轴(Roller)或用于支撑的支撑针(Pin)的接触，玻璃基板与滚轴或支撑针的接触通过感应会产生ESD(Electro-Static discharge，静电放电)，释放的电荷传输到阵列基板上会导致TFT元件性能失效，从而造成显示产品出现亮点、多亮点、黑斑等不良。

发明内容

鉴于此，为解决现有技术的问题，本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，可屏蔽设备积累的静电与阵列基板的衬底背面相接触后，通过感应产生的ESD传输到阵列基板中的信号线和/或TFT元件上，提高了产品良率。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面、本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法，所述制备方法包括，在衬底基板上方形成栅线、数据线和薄膜晶体管的步骤；所述在衬底基板上方形成栅线、数据线和薄膜晶体管的步骤之前，所述制备方法还包括，在衬底基板上依次形成静电屏蔽层、覆盖所述静电屏蔽层的隔离层的步骤；其中，所述静电屏蔽层的图案在所述衬底基板上的正投影覆盖待形成的所述栅线、所述数据线和所述薄膜晶体管中至少一者的图案在所述衬底基板上的正投影。

作为一种可选的方式，所述形成静电屏蔽层的步骤包括，形成覆盖衬底基板的多晶硅薄膜；对所述多晶硅薄膜进行构图工艺处理，以形成多晶硅图案层；对所述多晶硅图案层进行离子掺杂处理，以形成静电屏蔽层；形成的所述静电屏蔽层具有预设电阻。

优选的，在形成所述静电屏蔽层的步骤之后，所述制备方法还包括，对所述静电屏蔽层进行加热活化处理，以提高所述静电屏蔽层中掺杂离子的排列有序程度。

作为另一种可选的方式，所述形成静电屏蔽层的步骤包括，直接形成覆盖衬底基板的氮掺杂多晶硅薄膜；对所述氮掺杂多晶硅薄膜进行构图工艺处理，以形成静电屏蔽层。

在上述基础上优选的，形成的所述静电屏蔽层的图案，包括，多条横向部和多条纵向部，所述多条横向部与所述多条纵向部相互交叉形成网格状的图案；其中，所述横向部在所述衬底基板上的正投影覆盖待形成的所述栅线在所述衬底基板上的正投影，所述纵向部在所述衬底基板上的正投影覆盖待形成的所述数据线在所述衬底基板上的正投影。

进一步可选的，所述横向部还包括形成在同一侧的多个与所述纵向部连接的突起部；其中，所述横向部、所述纵向部和所述突起部相互连接在一起的区域在所述衬底基板上的正投影覆盖待形成的所述薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影。

进一步优选的，所述横向部沿垂直于所述栅线的宽度大于所述栅线的线宽；所述纵向部沿垂直于所述数据线的宽度大于所述数据线的线宽；所述横向部、所述纵向部和所述突起部相互连接在一起的区域面积大于所述薄膜晶体管所在区域的面积。