[发明专利]微发光二极管显示面板及其制作方法

权利要求书

1.一种微发光二极管显示面板，其特征在于，包括：衬底基板(41)、设于所述衬底基板(41)上的像素定义层(45)、形成于所述像素定义层(45)中的像素凹槽(15)、设于所述像素凹槽(15)内的树脂粘合层(13)、设于所述像素凹槽(15)内并嵌入所述树脂粘合层(13)中的微发光二极管(200)、以及分别位于像素凹槽(15)两侧的像素定义层(45)上的第一电极触点(43)和第二电极触点(44)；

所述微发光二极管(200)包括：LED半导体层(2)、设于所述LED半导体层(2)上方并与所述LED半导体层(2)接触的第一电极(71)、设于所述LED半导体层(2)上方的第二电极(72)、包围所述LED半导体层(2)的绝缘保护层(14)、以及两端分别与所述LED半导体层(2)的底面和所述第二电极(72)接触的连接电极(6)；所述连接电极(6)位于所述绝缘保护层(14)远离所述LED半导体层(2)的一侧；

所述连接电极(6)与所述第二电极(72)接触的部分以及所述LED半导体层(2)的上表面均暴露于所述树脂粘合层(13)外，所述第一电极(71)和第二电极(72)分别与所述第一电极触点(43)和第二电极触点(44)接触。

2.如权利要求1所述的微发光二极管显示面板，其特征在于，还包括：设于所述衬底基板(41)与像素定义层(45)之间的TFT层(42)；

所述TFT层(42)包括：设于所述衬底基板(41)上的有源层(421)、覆盖所述有源层(421)与所述衬底基板(41)的栅极绝缘层(422)、设于所述有源层(421)上方的栅极绝缘层(422)上的栅极(423)、覆盖所述栅极(423)以及栅极绝缘层(422)的层间绝缘层(424)、以及设于所述层间绝缘层(424)上的与所述有源层(421)的两端接触的源极(425)和漏极(426)；所述第一电极触点(43)还与所述源极(425)接触。

3.如权利要求1所述的微发光二极管显示面板，其特征在于，所述树脂粘合层(13)的材料为PMMA。

4.一种微发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供一原始基板(1)，在所述原始基板(1)上依次形成LED半导体层(2)、覆盖所述LED半导体层(2)和原始基板(1)的第一绝缘层(3)、以及设于所述第一绝缘层(3)上并与所述LED半导体层(2)和原始基板(1)接触的连接电极(6)；

步骤2、提供一转运基板(8)，将所述转运基板(8)表面与连接电极(6)粘合，剥离所述原始基板(1)，使得所有的LED半导体层(2)、第一绝缘层(3)和连接电极(6)均转移到转运基板(8)上，暴露出所述LED半导体层(2)、第一绝缘层(3)、以及连接电极(6)与原始基板(1)接触的部分；

步骤3、在所述暴露出的LED半导体层(2)、第一绝缘层(3)、以及连接电极(6)上形成第二绝缘层(9)，所述第二绝缘层(9)上形成有第一电极连接孔(11)和第二电极连接孔(12)，所述第一电极连接孔(11)和第二电极连接孔(12)分别暴露出所述LED半导体层(2)的一部分和连接电极(6)的一部分，得到微发光二极管的半成品(100)；

步骤4、提供一转印头(300)和一接收基板(400)，所述接收基板(400)包括：衬底基板(41)、设于所述衬底基板(41)上的像素定义层(45)、形成于所述像素定义层(45)中的像素凹槽(15)、设于所述像素凹槽(15)内的树脂粘合层(13)、以及分别位于像素凹槽(15)两侧的像素定义层(45)上的第一电极触点(43)和第二电极触点(44)；

步骤5、通过所述转印头(300)将转运基板(8)上的微发光二极管的半成品(100)转印到接收基板(400)上的像素凹槽(15)内，使得所述微发光二极管的半成品(100)压入并固定在所述树脂粘合层(13)中，且所述连接电极(6)被第二电极连接孔(12)暴露出的部分以及所述LED半导体层(2)的上表面均暴露于所述树脂粘合层(13)外；

步骤6、在所述微发光二极管的半成品(100)上形成第一电极(71)和第二电极(72)，所述第一电极(71)与所述LED半导体层(2)和第一电极触点(43)接触，所述第二电极(72)与所述连接电极(6)和第二电极触点(44)接触。