[发明专利]一种充电接头、电子设备及充电接头强化方法

说明书

一种充电接头、电子设备及充电接头强化方法。本发明公开了一种充电接头强化方法，包括步骤：在温度条件为400℃～460℃的真空条件下，通过离子氮化工艺在充电接头表面生成离子氮化层；在温度条件为440℃～460℃的条件下，采用渗金属工艺在离子氮化层表面生成Ti‑Mo‑Nb‑Nd‑N复合渗层；在温度条件为180℃～200℃的真空条件下，利用离子镀工艺在Ti‑Mo‑Nb‑Nd‑N复合渗层表面制备Ni膜层；通过电镀金工艺在Ni膜层表面制备电镀金层。采用本发明的强化方法，可有效提高手机充电接头的耐磨性和导电性。本发明还高能公开了一种充电接头和电子设备。

技术领域

本发明涉及材料强化技术领域，尤其涉及一种充电接头、电子设备及充电接头强化方法。

背景技术

现有电子设备的充电接头通常采用双相不锈钢材料经粉末冶金工艺制成，其硬度为300Hv～400Hv。在通过粉末冶金工艺制成充电接头后，还需要对充电接头进行热处理及镀金处理，以使充电接头获得较好的耐磨性和导电性。但是由于双相不锈钢(含铁素体及奥氏体)材料硬度较低、不耐磨，且充电接头具有尺寸小、壁厚小、结构复杂和精度高，这就使得如果采用常规形变热处理工艺来对充电接头进行热处理，会因处理温度高而导致充电接头易变形，而温度过低又不能满足热处理的工艺条件；同时，由于双向不锈钢材料经常规高温热处理后脆性变大，使得充电接易折断；并且，粉末冶金材料多孔隙，直接在充电接头表面镀金，不仅金的消耗量大，成本高，而且电镀金层的结合力不好，易脱落。

发明内容

针对上述问题，本发明提供一种充电接头、电子设备及充电接头强化方法，能够在保持原有韧性的基础上，同时提高充电接头的耐磨性和导电性。

为解决上述技术问题，本发明的一种充电接头强化方法，所述充电接头采用双相不锈钢材料制成，包括如下步骤：

S1、在充电接头表面生成离子氮化层；

S2、在所述离子氮化层表面生成Ti-Mo-Nb-Nd-N复合渗层；

S3、在所述Ti-Mo-Nb-Nd-N复合渗层表面制备Ni膜层；

S4、在所述Ni膜层表面制备电镀金层。

作为上述方案的改进，所述步骤S1包括：在温度为200℃～500℃的真空条件下，通过离子氮化工艺在充电接头表面生成离子氮化层；

所述步骤S2包括：在温度为440℃～460℃的真空条件下，采用渗金属工艺在所述离子氮化层表面生成Ti-Mo-Nb-Nd-N复合渗层；

所述步骤S3包括：在温度为180℃～200℃的真空条件下，利用离子镀工艺在所述Ti-Mo-Nb-Nd-N复合渗层表面制备Ni膜层；

所述步骤S4包括：通过电镀金工艺在所述Ni膜层表面制备电镀金层。

作为上述方案的改进，所述步骤S2中的所述渗金属工艺的条件包括：

以Ti-Mo-Nb-Nd-N复合材料为标靶材料，以N₂气体为离子氮化材料，以双阴极直流脉冲双电源作为电源；其中，真空炉的炉壁接地，所述双阴极直流脉冲双电源的一阴极电源接所述标靶材料，另一阴极电源与经步骤S1处理后的充电接头连接，所述双阴极直流脉冲双电源的一阴极电源的工作电压为700V～800V、频率为1000Hz，所述另一阴极电源的工作电压为500V～600V、频率为1000Hz。

作为上述方案的改进，所述Ti-Mo-Nb-Nd-N复合材料中各组分所占重量百分比为：Ti为79％～89％，Mo为10％～20％，Nb为0.4％～0.6％，Nd为0.4％～0.6％。

作为上述方案的改进，所述步骤S3中的所述离子镀工艺的条件包括：

镀膜电压为800V～1000V、真空度为0.35Pa～0.51Pa。