[发明专利]具有共平面形波导传输线的电子设备在审
申请号: | 201710372804.8 | 申请日: | 2017-05-24 |
公开(公告)号: | CN108666721A | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
发明(设计)人: | 林竣义;陈郁仁;朱宏麒 | 申请(专利权)人: | 联咏科技股份有限公司 |
主分类号: | H01P3/00 | 分类号: | H01P3/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 波导传输线 共平面 电子设备 参考平面 无源组件 不连续性 直流电压 电连接 高频率 信号线 短路 衬底 阻抗 配置 | ||
1.一种电子设备,其特征在于,包括:
衬底;
共平面形波导传输线,其设置于所述衬底的表面上,并且包括信号线、第一参考平面和第二参考平面,其中所述第一参考平面和所述第二参考平面在所述信号线的第一侧;以及
第一无源组件,其设置于所述衬底的所述表面上,并且耦接于所述第一参考平面与所述第二参考平面之间,
其中,所述第一参考平面和所述第二参考平面分别耦接到第一直流电压和第二直流电压。
2.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述第一直流电压的电压电平不同于所述第二直流电压的电压电平。
3.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述第一直流电压的电压电平等于所述第二直流电压的电压电平。
4.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述第一参考平面和所述第二参考平面沿着所述信号线的信号传输方向设置。
5.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述第一无源组件包括电容器。
6.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述第一无源组件是二极管,所述二极管的阳极耦接到所述第一参考平面并且所述二极管的阴极耦接到所述第二参考平面,并且所述第一直流电压的电压电平低于所述第二直流电压的电压电平。
7.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述共平面形波导传输线进一步包括:
第三参考平面和第四参考平面,其设置于所述衬底上并且在所述信号线的不同于所述第一侧的第二侧,并且分别耦接到第三直流电压和第四直流电压;并且其中所述电子设备进一步包括第二无源组件,其耦接于所述第三参考平面与所述第四参考平面之间。
8.根据权利要求7所述的电子设备,其特征在于,所述第三直流电压不同于所述第四直流电压。
9.根据权利要求7所述的电子设备,其特征在于,所述第三直流电压的电压电平等于所述第四直流电压的电压电平。
10.根据权利要求7所述的电子设备,其特征在于,所述第一直流电压、所述第二直流电压、所述第三直流电压和所述第四直流电压的电压电平是不同的。
11.根据权利要求7所述的电子设备,其特征在于,所述第三参考平面和所述第四参考平面沿着所述信号线的信号传输方向设置。
12.根据权利要求7所述的电子设备,其特征在于,所述信号线、所述第三参考平面和所述第四参考平面设置于所述衬底的同一个表面上。
13.根据权利要求12所述的电子设备,其特征在于,所述信号线、所述第一参考平面和所述第二参考平面设置于所述衬底的同一个表面上。
14.根据权利要求7所述的电子设备,其特征在于,所述第二无源组件是电容器。
15.根据权利要求7所述的电子设备,其特征在于,所述第二无源组件是二极管,所述二极管的阳极耦接到所述第一参考平面并且所述二极管的阴极耦接到所述第二参考平面,并且所述第三直流电压的电压电平低于所述第四直流电压的电压电平。
16.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,进一步包括:
存储器;以及
半导体芯片,其具有双数据速率存储器接口,并且能够经由所述双数据速率存储器接口访问所述存储器;
其中所述共平面形波导传输线的信号线连接所述半导体芯片的双数据速率接口的多个信号端口之一和所述存储器的对应的信号端口。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联咏科技股份有限公司,未经联咏科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710372804.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:小型化超宽带共模噪声抑制电路
- 下一篇:一种紧凑型双脊矩形波导四路微带功分器