[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201710373089.X | 申请日: | 2017-05-24 |
公开(公告)号: | CN107437516B | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 尾辻正幸 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/311 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;向勇 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其中,包括:
基板保持单元,一边将基板保持为水平,一边使上述基板以通过上述基板的中央部的铅垂的第一旋转轴线为轴旋转;
相对构件,具有与上述基板的整个上表面相对并覆盖上述基板的整个上表面的相对面;
相对构件旋转单元,使上述相对构件以与上述第一旋转轴线同轴的第二旋转轴线为轴旋转;以及
处理液喷出单元,包括中央部喷出口和外周部喷出口,上述中央部喷出口在上述相对面与上述基板的上表面中央部相对地开口,上述外周部喷出口在上述相对面与上述基板的上表面外周部相对地开口,上述处理液喷出单元从上述中央部喷出口喷出处理液来向上述基板与上述相对面之间供给处理液,并且,从上述外周部喷出口喷出处理液来向上述基板的整个上表面与上述相对面之间补充处理液。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
上述处理液喷出单元包括储液部,上述储液部设置于上述相对构件,能够储存要从上述外周部喷出口喷出的处理液。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,
上述处理液喷出单元还包括连通孔,上述连通孔连通上述储液部的内部与上述外周部喷出口,
使流体在上述基板的上述上表面外周部与上述相对面的上述外周部喷出口的周围之间流通,伴随该流体的流通而使上述连通孔减压,从而在上述储液部中储存的处理液经由上述连通孔从上述外周部喷出口喷出。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中,
在上述基板的上述上表面外周部与上述相对面的上述外周部喷出口的周围之间流通的上述流体为处理液。
5.根据权利要求3或4所述的基板处理装置,其中,
在上述基板的上述上表面外周部与上述相对面的上述外周部喷出口的周围之间流通的上述流体为气体。
6.根据权利要求3或4所述的基板处理装置,其中,
在上述相对面的上述外周部喷出口的周围设置有突部,以加快流经上述基板的上述上表面外周部与上述相对面的上述外周部喷出口的周围之间的上述流体的流速。
7.根据权利要求3或4所述的基板处理装置,其中,
在上述相对面设置有厚壁部,且该厚壁部相比上述外周部喷出口设置在上述相对构件的外周侧,以加快流经上述基板的上述上表面外周部与上述相对面的上述外周部喷出口的周围之间的上述流体的流速。
8.根据权利要求3或4所述的基板处理装置,其中,
上述连通孔的剖面积设置成如下大小,即,在处理液未流经上述基板的上述上表面外周部与上述相对面的上述外周部喷出口的周围之间的状态下,从上述外周部喷出口不喷出处理液。
9.根据权利要求2至4中任一项所述的基板处理装置,其中,
上述储液部包括储液槽,上述储液槽形成于上述相对构件的与上述相对面相反一侧的面。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置,其中,
上述储液部还包括堤部,上述堤部限制在上述储液槽中储存的处理液从该储液槽流出。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置,其中,
上述储液部还包括檐部,上述檐部从上述堤部的上端部朝向上述相对构件的径向内侧突出。
12.根据权利要求2至4中任一项所述的基板处理装置,其中,
上述储液部还包括储液空间,上述储液空间形成于上述相对构件的内部。
13.根据权利要求2至4中任一项所述的基板处理装置,其中,
上述基板处理装置还包括处理液供给单元,上述处理液供给单元向上述储液部供给处理液,
在从上述中央部喷出口开始喷出处理液时,上述处理液供给单元向上述储液部供给处理液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造