[发明专利]超薄表面波光子晶体

权利要求书

1.一种超薄表面波光子晶体，其特征在于由金属底板上二维周期性分布的金属片构成，金属片通过金属柱与所述金属底板连接在一起，所述金属片和所述金属底板之间填充介质；所述金属片之间的周期小于六分之一个工作波长，所述超薄表面光子晶体的厚度小于六百分之一个工作波长。

2.根据权利要求1所述的超薄表面波光子晶体，其特征在于所述金属片面积相等、形状相同。

3.一种基于权利要求1所述超薄表面波光子晶体的器件，其特征在于在所述的超薄表面波光子晶体上引入缺陷，所述缺陷处的谐振频率处在周围超薄表面波光子晶体的禁带之内。

4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于所述引入缺陷的方式为减小金属片的面积，并使得被减小面积的金属片处的谐振频率正好处在周围超薄表面波光子晶体的禁带内；所述被减小面积的金属片的面积相等。

5.根据权利要求4所述的器件，其特征在于所述被减小面积的金属片的形状相同，未减小面积的金属片的面积相等、形状相同。

6.一种基于权利要求1所述超薄表面波光子晶体的直波导，其特征在于在所述的超薄表面波光子晶体上引入贯穿超薄表面波光子晶体的线缺陷，所述缺陷处的谐振频率处在周围超薄表面波光子晶体的禁带之内；所述引入线缺陷的方式为减小一条直线上的金属片的面积，使得缺陷处的谐振频率正好处在周围超薄表面波光子晶体的禁带内；所述被减小面积的金属片的面积相等。

7.一种基于权利要求1所述超薄表面波光子晶体的弯曲波导，其特征在于在所述的超薄表面波光子晶体上引入弯曲缺陷，所述弯曲缺陷的首尾两端位于超薄表面波光子晶体的边界上，所述缺陷处的谐振频率处在周围超薄表面波光子晶体的禁带之内；所述引入弯曲缺陷的方式为减小弯曲曲线上的金属片的面积，使得缺陷处的谐振频率正好处在周围超薄表面波光子晶体的禁带内；所述被减小面积的金属片的面积相等。

8.如权利要求7所述的弯曲波导，其特征在于所述的弯曲线为包含1个或多个无弯曲半径的90度折角的折线。

9.一种基于权利要求1所述超薄表面波光子晶体的谐振器，其特征在于在所述的超薄表面波光子晶体上引入线缺陷，线缺陷的两端均位于超薄表面波光子晶体的内部，所述缺陷处的谐振频率处在周围超薄表面波光子晶体的禁带之内；所述引入线缺陷的方式为减小一条直线上的金属片的面积，使得缺陷处的谐振频率正好处在周围超薄表面波光子晶体的禁带内；所述被减小面积的金属片的面积相等。

10.一种基于权利要求1所述超薄表面波光子晶体的分波器，其特征在于在所述的超薄表面波光子晶体内多个方向上通过引入线缺陷的方式引入直波导，直波导的一端互相相连，不同方向上的直波导的色散曲线相同，所述引入缺陷的方式为减小金属片的面积，所述被减小面积的金属片的面积相等。