[发明专利]磁感应器件及制造方法有效
申请号: | 201710374569.8 | 申请日: | 2017-05-24 |
公开(公告)号: | CN107104120B | 公开(公告)日: | 2019-03-15 |
发明(设计)人: | 方向明;伍荣翔;单建安 | 申请(专利权)人: | 成都线易科技有限责任公司;电子科技大学 |
主分类号: | H01L27/22 | 分类号: | H01L27/22;H01L21/82 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 赵志远 |
地址: | 610213 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 感应 器件 制造 方法 | ||
1.一种磁感应器件,其特征在于,所述磁感应器件包括:衬底、第一金属层以及第一介质层,
所述衬底的第一表面开设有凹槽,所述第一金属层设置于所述凹槽内,所述第一金属层的表面低于所述第一表面,所述第一金属层的表面与所述第一表面构成第一凹陷部,所述第一介质层设置于所述衬底的第一表面且所述第一介质层填充所述第一凹陷部,还包括第二金属层,所述第二金属层设置于所述第一介质层的远离所述第一表面的一面。
2.根据权利要求1所述的磁感应器件,其特征在于:还包括第二介质层,所述第二介质层覆盖所述第二金属层。
3.根据权利要求1所述的磁感应器件,其特征在于:还包括第一上跨通路,所述凹槽为螺旋形凹槽,所述第一金属层为与所述螺旋形凹槽匹配的第一螺旋形线圈,
所述第一介质层的与所述第一螺旋形线圈的内侧端对应的位置开设有通孔,所述第一上跨通路的一端填充所述通孔且与所述第一螺旋形线圈的内侧端相连接,所述第一上跨通路的另一端与外部电路相连接。
4.根据权利要求3所述的磁感应器件,其特征在于:还包括第三介质层以及第二螺旋形线圈,所述第三介质层设置于所述第一介质层的远离所述第一表面的一面且所述第三介质层覆盖所述第一上跨通路,所述第二螺旋形线圈设置于所述第三介质层的远离所述第一上跨通路的一面,且所述第二螺旋形线圈的位置与所述第一螺旋形线圈的位置相对应。
5.根据权利要求1所述的磁感应器件,其特征在于:所述凹槽为蛇形凹槽,所述第一金属层为与所述蛇形凹槽匹配的第一蛇形线圈,所述磁感应器件还包括第二蛇形线圈,所述第二蛇形线圈设置于所述第一介质层的远离所述第一表面的一面,且所述第二蛇形线圈的位置与所述第一蛇形线圈的位置相对应。
6.根据权利要求1所述的磁感应器件,其特征在于:所述凹槽为依次排列的多个长条形凹槽,所述多个长条形凹槽的两两之间互不连通,
所述第一金属层包括多个长条形金属,所述多个长条形金属的数量与所述多个长条形凹槽的数量相同,且所述多个长条形金属中的每个对应设置于所述多个长条形凹槽中。
7.根据权利要求6所述的磁感应器件,其特征在于:还包括磁性薄膜、第四介质层以及多个长条形外导体,所述磁性薄膜沉积于所述第一介质层的远离所述第一表面的一面,所述第四介质层覆盖所述磁性薄膜,所述多个长条形外导体均设置于所述第四介质层的表面,
所述第一介质层以及第四介质层与所述多个长条形金属中的每个的两端相对应的位置均开设有通孔,所述多个长条形外导体中的每个均通过通孔与所述多个长条形金属中相邻的两个对应连接。
8.根据权利要求7所述的磁感应器件,其特征在于:所述多个长条形金属包括第一长条形金属、第二长条形金属、第三长条形金属以及第四长条形金属,所述多个长条形外导体包括第一长条形外导体、第二长条形外导体以及第三长条形外导体,
所述第一长条形外导体的第一端通过通孔与所述第一长条形金属的第一端连接,所述第一长条形外导体的第二端通过通孔与所述第二长条形金属的第二端连接;
所述第二长条形外导体的第一端通过通孔与所述第二长条形金属的第一端连接,所述第二长条形外导体的第二端通过通孔与所述第三长条形金属的第二端连接;
所述第三长条形外导体的第一端通过通孔与所述第三长条形金属的第一端连接,所述第三长条形外导体的第二端通过通孔与所述第四长条形金属的第二端连接。
9.根据权利要求1所述的磁感应器件,其特征在于:所述第一凹陷部的深度为1-10微米。
10.一种磁感应器件制造方法,用于制造如权利要求1所述的磁感应器件,其特征在于:
在衬底形成从所述衬底的表面延伸至所述衬底的内部的凹槽;
在所述衬底的表面以及所述凹槽内溅射形成种子层,在所述种子层使用金属材料进行电镀;
通过刻蚀去除所述衬底表面的金属材料;
对所述凹槽内的金属材料进行预定时间的过刻蚀,以使所述金属材料的表面低于所述衬底的表面;
在所述金属材料的表面以及衬底的表面旋涂电介质层,并对所述电介质层进行平坦化处理;
在所述电介质层的表面形成金属层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的