[发明专利]固态储存装置的控制方法

权利要求书

1.一种具有非挥发性记忆体的固态储存装置的控制方法，其特征在于，包括下列步骤：

当该固态储存装置正常运作时，计时该固态储存装置的一正常运作时间；以及

每次该正常运作时间经过一第一时间周期时，对该固态储存装置中的该非挥发性记忆体的一记忆胞阵列进行一读取刷新，其中该第一时间周期是介于一时间点ta及一时间点tb之间，于该时间点ta与该时间点tb之间进行一次读取动作，会有较低的错误位元数目；而越远离该时间点ta或该时间点tb之后进行另一次读取动作，则错误位元数目会有上升的趋势。

2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，更包括下列步骤：

于固态储存装置的电源开启时，进行该读取刷新；以及

等待一第二时间周期后，让该固态储存装置正常运作。

3.根据权利要求2所述的控制方法，其特征在于，该读取刷新是一假性读取动作。

4.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，更包括下列步骤：

当该固态储存装置正常运作时，执行主机的一读取命令以读取该记忆胞阵列中一特定区域的多个记忆胞内储存的一读取数据；

对该读取数据进行一错误校正，以确认该读取数据中一特定储存状态的一错误位元数目；以及

当该错误位元数目超过一第一数目时，对该特定区域的该些记忆胞进行一实际刷新。

5.根据权利要求4所述的控制方法，其特征在于，进行该实际刷新更包括下列步骤：

立即对该特定区域的该些记忆胞进行一实际刷新；或者标记该特定区域的该些记忆胞，于该固态储存装置的一待机状态时，对被标记的该特定区域的该些记忆胞进行该实际刷新。

6.根据权利要求5所述的控制方法，其特征在于，该实际刷新是将该特定区域所储存的该读取数据写入该记忆胞阵列中另一区域的多个记忆胞内。

7.根据权利要求5所述的控制方法，其特征在于，该实际刷新是抹除该特定区域的该些记忆胞所储存的该读取数据后，并再次将该读取数据写入该特定区域的该些记忆胞内。

8.一种具有非挥发性记忆体的固态储存装置的控制方法，其特征在于，包括下列步骤：

当该固态储存装置正常运作时，执行主机的一读取命令以读取该非挥发性记忆体中的一记忆胞阵列中一特定区域的多个记忆胞内储存的一读取数据；

对该读取数据进行一错误校正，以确认该读取数据中一特定储存状态的一错误位元数目；

当该错误位元数目超过一第一数目时，确认该特定区域的该些记忆胞内储存一读取热数据；以及

当该错误位元数目未超过该第一数目时，确认该特定区域的该些记忆胞内储存一读取冷数据。

9.根据权利要求8所述的控制方法，其特征在于，对于该读取热数据中的一特定储存状态，该固态储存装置施加比一预设编程电压更高的编程电压来编程该特定储存状态，使其具有比一预设中位临限电压更高的中位临限电压。

10.根据权利要求8所述的控制方法，其特征在于，对于该读取热数据改以每个记忆胞储存一位元或每个记忆胞储存二位元的方式储存。