[发明专利]同步整流装置有效
申请号: | 201710375151.9 | 申请日: | 2017-05-24 |
公开(公告)号: | CN108933539B | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | 邱致翔;庄清闵 | 申请(专利权)人: | 明纬(广州)电子有限公司 |
主分类号: | H02M7/217 | 分类号: | H02M7/217 |
代理公司: | 11139 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 510660 广东省广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压控开关 整流开关 次侧 同步整流装置 二次侧电压 整流控制器 非导通 输出电容 电源供应器 分压电容 切换电压 同步整流 电容 变压器 | ||
1.一种同步整流装置,其连接一电源供应器的一变压器的二次侧与一输出电容,其特征在于,该同步整流装置包含:
一整流开关,连接于该二次侧与该输出电容之间;
一压控开关器,连接该二次侧,具有一分压电容,以接收该二次侧产生的二次侧电压;以及
一整流控制器,连接该压控开关器与该整流开关,在该二次侧电压上升至低于第一电压值的切换电压值时,该整流控制器控制该整流开关为非导通,而在该整流开关为非导通后,该压控开关器为非导通,该分压电容接收该二次侧电压,且该二次侧电压继续上升至该第一电压值为止,该二次侧电压下降至小于该切换电压值的第二电压值时,该压控开关器呈现导通状态,且该整流控制器通过该压控开关器侦测该第二电压值,以导通该整流开关。
2.如权利要求1所述的同步整流装置,其特征在于,该压控开关器为一N通道金氧半场效晶体管,其汲极连接该整流开关与该二次侧,以接收该二次侧电压,该N通道金氧半场效晶体管的闸极连接一直流电压源,以接收该直流电压源的直流电压值,该直流电压值小于或等于该第一电压值,该直流电压值大于该第二电压值,该N通道金氧半场效晶体管的源极连接该整流控制器,且该N通道金氧半场效晶体管的寄生源汲电容作为该分压电容,在该整流开关为非导通后,该N通道金氧半场效晶体管为非导通,在该二次侧电压为该第二电压值时,该N通道金氧半场效晶体管呈现导通状态,且该整流控制器侦测该第二电压值。
3.如权利要求1所述的同步整流装置,其特征在于,该压控开关器还包含:
一辅助电容;
一N通道金氧半场效晶体管,其汲极连接该整流开关与该二次侧,以接收该二次侧电压,该N通道金氧半场效晶体管的闸极连接一直流电压源,以接收该直流电压源的直流电压值,该直流电压值小于或等于该第一电压值,该直流电压值大于该第二电压值,该N通道金氧半场效晶体管的源极连接该整流控制器,且该辅助电容连接于该汲极与该源极之间,该N通道金氧半场效晶体管的寄生源汲电容与该辅助电容形成该分压电容,在该整流开关为非导通后,该N通道金氧半场效晶体管为非导通;以及
一二极管,其阳极连接该源极,阴极连接该汲极,在该二次侧电压为该第二电压值时,该N通道金氧半场效晶体管呈现导通状态,且该整流控制器侦测该第二电压值。
4.如权利要求1所述的同步整流装置,其特征在于,该压控开关器还包含:
一NPN双载子接面晶体管,其射极连接该整流开关与该二次侧,以接收该二次侧电压,该NPN双载子接面晶体管的基极连接一直流电压源,以接收该直流电压源的直流电压值,该直流电压值小于或等于该第一电压值,该直流电压值大于该第二电压值,该分压电容连接于该NPN双载子接面晶体管的集极与该射极间,该集极连接该整流控制器,在该整流开关为非导通后,该NPN双载子接面晶体管为非导通;以及
一二极管,其阳极连接该射极,阴极连接该集极,在该二次侧电压为该第二电压值时,该NPN双载子接面晶体管呈现导通状态,且该整流控制器侦测该第二电压值。
5.如权利要求2、3或4所述的同步整流装置,其特征在于,该直流电压源由该电源供应器的辅助电源提供。
6.如权利要求1所述的同步整流装置,其特征在于,还包含一瞬时电压抑制器,其一端连接该整流控制器与该压控开关器,另一端接地,该瞬时电压抑制器稳定该整流控制器所侦测的电压。
7.如权利要求1所述的同步整流装置,其特征在于,还包含一齐纳二极管,其一端连接该整流控制器与该压控开关器,另一端接地,以稳定该整流控制器所侦测的电压。
8.如权利要求1所述的同步整流装置,其特征在于,该整流开关为N通道金氧半场效晶体管或P通道金氧半场效晶体管。
9.如权利要求1所述的同步整流装置,其特征在于,还包含:
一第一电阻,连接于该整流控制器与该整流开关之间;以及
一第二电阻,连接于该整流控制器与该压控开关器之间,该整流控制器通过该第二电阻侦测该第二电压值。
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