[发明专利]阵列基板、显示装置以及制备阵列基板的方法

权利要求书

1.一种制备阵列基板的方法，其特征在于，包括：

在基板上设置薄膜晶体管，设置所述薄膜晶体管包括：

在所述基板上设置遮光层，所述遮光层是由非晶硅形成的；以及

在所述遮光层远离所述基板的一侧设置有源层，所述有源层覆盖所述遮光层的部分表面，所述遮光层未被所述有源层覆盖的表面的宽度为0.2-0.3微米，

其中，所述阵列基板包括显示区，且包括阵列基板行驱动区以及多路复用区，所述薄膜晶体管设置在所述显示区，且所述薄膜晶体管设置在所述阵列基板行驱动区以及所述多路复用区中，其中，所述遮光层和所述有源层是通过下述方法形成的：利用第一光刻处理，形成所述遮光层；以及

利用第二光刻处理，形成所述有源层，

其中，所述第一光刻处理以及所述第二光刻处理共用一个光刻掩膜，

所述第一光刻处理的曝光量，为所述第二光刻处理的曝光量的70-90％；

或者，所述遮光层和所述有源层是通过下述方法形成的：

在所述基板上沉积形成非晶硅层；

利用掩膜对所述非晶硅层进行第一光刻处理，以便形成所述遮光层；

在所述遮光层以及所述基板上沉积第二非晶硅层，对所述第二非晶硅层进行第二光刻处理；

对经过所述第二光刻处理的所述第二非晶硅层进行激光退火处理，以便将非晶硅转化为多晶硅，形成所述有源层，

其中，所述第一光刻处理的曝光量，为所述第二光刻处理的曝光量的70-90％。