[发明专利]半导体材料切割方法在审
申请号: | 201710376097.X | 申请日: | 2017-05-25 |
公开(公告)号: | CN107415066A | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 刘留;吴晓桂;叶水景;周铁军 | 申请(专利权)人: | 广东先导先进材料股份有限公司 |
主分类号: | B28D5/04 | 分类号: | B28D5/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 511517 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体材料 切割 方法 | ||
1.一种半导体材料切割方法,将一钢线绕在线切割机的多个滚轴上,将半导体材料固定在一载物台上,滚轴带动钢线顺逆时针交替运转,其特征在于:所述载物台在控制器的程序控制下以一定移动速度变速移动,所述钢线对半导体材料进行切割。
2.根据权利要求1 所述的半导体材料切割方法,其特征在于:所述移动速度为阶梯变速。
3.根据权利要求1 所述的半导体材料切割方法,其特征在于:所述载物台的移动速度与钢线和半导体材料的接触面积呈负相关。
4.根据权利要求1 所述的半导体材料切割方法,其特征在于:所述线切割机包括三个滚轴,所述三个滚轴呈正三角形放置。
5.根据权利要求1 所述的半导体材料切割方法,其特征在于:所述半导体材料呈圆筒形晶棒状,所述钢线沿着晶棒的圆形横截面进行切割。
6.根据权利要求5 所述的半导体材料切割方法,其特征在于:所述载物台的移动速度在钢线刚接触晶棒、切割至晶棒中心、切割完时分别为V1、V2、V3,则V1:V2:V3=13:9~11:13。
7.根据权利要求1-6任一所述的半导体材料切割方法,其特征在于:所述半导体材料为砷化镓或者磷化铟。
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