[发明专利]半导体装置

说明书

本发明的实施方式提供一种能够抑制寄生晶体管的动作的半导体装置。实施方式的半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、栅极电极、第1电极、第2绝缘部、第3绝缘部、及第2电极。栅极电极隔着第1绝缘部设置在第1半导体区域中及第2半导体区域中，且在第1方向上延伸。第1电极设置在第3半导体区域之上，且与第3半导体区域电连接。第2绝缘部在第1半导体区域中与栅极电极相隔，且在第2方向上延伸。第3绝缘部具有在第1方向上延伸的第1绝缘部分。第1绝缘部分在第2方向上位于栅极电极与第2绝缘部之间。第2电极设置在第2绝缘部及第3绝缘部之上，且与栅极电极电连接。

[相关申请]

本申请享有以日本专利申请2016-180766号(申请日：2016年9月15日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种半导体装置。

背景技术

MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)等半导体装置具有寄生晶体管。该寄生晶体管较理想的是难以动作。

发明内容

本发明提供一种能够抑制寄生晶体管的动作的半导体装置。

实施方式的半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、栅极电极、第1电极、第2绝缘部、第3绝缘部、及第2电极。所述第2半导体区域选择性设置在所述第1半导体区域之上。所述第3半导体区域选择性设置在所述第2半导体区域之上。所述栅极电极隔着第1绝缘部设置在所述第1半导体区域中及所述第2半导体区域中。所述栅极电极在第1方向上延伸。所述第1电极设置在所述第3半导体区域之上。所述第1电极与所述第3半导体区域电连接。所述第2绝缘部在所述第1半导体区域中与所述栅极电极相隔。所述第2绝缘部在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸。所述第3绝缘部具有在所述第1方向上延伸的第1绝缘部分。所述第3绝缘部的所述第1绝缘部分在所述第2方向上位于所述栅极电极与所述第2绝缘部之间。所述第3绝缘部在所述第1半导体区域中与所述栅极电极及所述第2绝缘部相隔。所述第2电极设置在所述第2绝缘部及所述第3绝缘部之上。所述第2电极与所述栅极电极电连接。

附图说明

图1是第1实施方式的半导体装置的俯视图。

图2是将图1的部分A放大的俯视图。

图3是图2的B-B'剖视图。

图4是图2的C-C'剖视图。

图5是图2的D-D'剖视图。

图6(a)～(c)是表示连接着第1实施方式的半导体装置的电气电路的一例的电路图。

图7(a)及(b)是表示第1实施方式的半导体装置中的载流子的流动的剖视图。

图8是表示图6所示的电气电路中的半导体装置中的电流及电压的波形的曲线图。

图9是第1实施方式的半导体装置100的俯视图。

图10是表示第1实施方式的第1变化例的半导体装置的一部分的俯视图。

图11是表示第1实施方式的第2变化例的半导体装置的一部分的俯视图。

图12(a)是图11的E-E'剖视图，图12(b)是图11的F-F'剖视图。

图13(a)及(b)是表示第1实施方式的第2变化例的半导体装置的另一例的局部放大剖视图。

图14是表示第1实施方式的第3变化例的半导体装置的一部分的俯视图。