[发明专利]半导体装置的形成方法

说明书

提供一种鳍式场效晶体管结构及其形成方法。在方法中，形成鳍于基底上，形成隔离区于鳍的相对侧上。隔离区掺杂有碳以形成掺杂区，以及移除隔离区的一部分以暴露鳍的顶部，其中隔离区被移除的部分包括至少一部分的掺杂区。

技术领域

本发明实施例关于半导体装置及其形成方法。

背景技术

半导体装置用于大量的电子装置中，例如：电脑、手机等。半导体装置包括集成电路，其通过沉积许多类型的材料薄膜以形成在半导体晶片上，并图案化该材料薄膜以形成集成电路。集成电路包括场效晶体管(field-effect transistors,FET)，例如：金属氧化半导体(metal oxide semiconductor,MOS)晶体管。

半导体产业的目标的一为持续地缩小个别的场效晶体管(FET)的体积并增加其速度。为了达成这些目标，正在研究及执行鳍式场效晶体管(Fin Field-Effect Transistor,FinFET)或多重栅极晶体管。然而，随着这种新装置结构及鳍式场效晶体管(FinFET)不断地缩小，亦发现许多新的挑战。

发明内容

根据一实施例，本发明提供一种半导体装置的形成方法，包括：形成鳍于基底上；形成隔离区于鳍的相对侧上；利用碳掺杂隔离区以形成掺杂区；以及移除隔离区的一部分以暴露鳍的顶部，其中隔离区的移除的部分包括掺杂区的至少一部分。

根据一实施例，本发明提供一种半导体装置的形成方法，包括：形成介电材料于多个半导体鳍上方；将掺质加入介电材料中；以及使介电材料的一部份凹陷，以暴露多个半导体鳍的顶部。

根据一实施例，本发明提供一种半导体装置，包括：从基底延伸的鳍；隔离区，位于基底上方并位于鳍的相对侧壁上方；其中鳍的顶表面延伸至隔离区的顶表面上方，且其中从隔离区的顶表面延伸的隔离区的一部分包括掺杂剂。

附图说明

以下将配合所附附图详述本发明的实施例，应注意的是，依照工业上的标准实施，以下图示并未按照比例绘制，事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸以便清楚表现出本发明的特征。而在说明书及附图中，除了特别说明外，同样或类似的元件将以类似的符号表示。

图1显示在三维视图中鳍式场效晶体管(FinFET)的范例。

图2-5、6A-6C、7-8、9A-9B、10A-10B、11A-11B、12A-12B、13A-13B、14A-14B、15A-15B及16A-16B是根据一些实施例，制造鳍式场效晶体管(FinFET)的中间阶段的剖面图。

【符号说明】

鳍式场效晶体管(FinFET)30

基底 32

隔离区 34

鳍 36

栅极介电质 38

栅极电极 40

源极/漏极区 42

源极/漏极区 44

基底 50

第一区 50B

第二区 50C

鳍 52

含掺杂剂层 53

绝缘材料 54

隔离区 54

掺杂区 55

掺杂区 55'

鳍 56

掺杂缓冲层 57