[发明专利]一种电容耦合电路在审
| 申请号： | 201710377920.9 | 申请日： | 2017-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN107134993A | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 王亚杰 | 申请（专利权）人： | 北京海尔集成电路设计有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100088 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电容 耦合 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种电容耦合电路，包括两个隔直电容,其中所述两个电容的前端分别连接输入端，且两个电容的后端分别连接输出端；其中所述两个电容的输出端通过串联的两个电阻电连接；其特征在于，所述两个电阻都为工作在线性区的PMOS管和poly电阻的组合。
2.根据权利要求1所述的电容耦合电路，其特征在于，所述两个电阻都是一个poly电阻串联一个PMOS管电阻，两个电阻之间为PMOS管来共同连接共模电压VCM。
3.根据权利要求2所述的电容耦合电路，其特征在于，所述共模电压的电压值大于PMOS管的阈值电压值。
4.根据权利要求3所述的电容耦合电路，其特征在于，其中所述共模电压为电源电压值的50％±10％，即：VCM＝VDD×(0.5±0.1)；
其中VCM为共模电压，VDD为电源电压。
5.根据权利要求1所述的电容耦合电路，其特征在于，所述PMOS管电阻为N沟道MOS管。
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