[发明专利]可植入医用器件的表面处理方法

权利要求书

1.一种包含表面介电绝缘层的可植入医用器件的表面处理方法，所述方法包括向所述介电绝缘层上施加离子，所述离子能够形成静电荷并且在向所述表面施加液体时局部产生与所述可植入医用器件的至少部分表面相关联的电场。

2.如权利要求1所述的表面处理方法，其中所述电场用于将特定生物分子吸引到所述介电绝缘层，例如通过电泳，优选其中所述生物分子选自肽、多肽、蛋白质、寡核苷酸、核酸、RNA、反义核酸、小干扰RNA、核酶、基因、碳水化合物、血管生成因子、细胞周期抑制剂和抗再狭窄剂。

3.如权利要求1或权利要求2所述的表面处理方法，其中所述液体是电解质溶液。

4.如前述权利要求中任一项所述的表面处理方法，其中将所述离子施加到所述介电绝缘层的部分而不是全部上。

5.如前述权利要求中任一项所述的表面处理方法，其中所述施加的离子能够改变所述可植入医用器件的至少部分表面的可湿性。

6.如前述权利要求中任一项所述的表面处理方法，还包括在将所述离子施加到其上的所述介电绝缘层上产生电极图案和/或形貌特征。

7.如前述权利要求中任一项所述的表面处理方法，其中所述静电荷不足以引发电泳。

8.如前述权利要求中任一项所述的表面处理方法，其中所述介电绝缘层设置在所述植入物的表面上，隔开所述植入物的金属部件和导电性流体。

9.如前述权利要求中任一项所述的表面处理方法，其中所述介电绝缘层包括金属氧化物层，例如二氧化钛层。

10.如前述权利要求中任一项所述的表面处理方法，其中所述介电绝缘层的厚度在1nm～100μm的范围内。

11.如前述权利要求中任一项所述的表面处理方法，其中所述介电绝缘层包括疏水涂层，例如玻璃、陶瓷或无定形含氟聚合物涂层。

12.如前述权利要求中任一项所述的表面处理方法，其中通过以下方式将所述离子的水溶液施加到所述介电绝缘层：喷洒、浸泡或将所述植入物部分浸入所述水溶液中。

13.如权利要求12所述的表面处理方法，其中所述水溶液包括挥发性有机化合物。

14.如权利要求12或权利要求13所述的表面处理方法，其中所述水溶液是生理等渗的盐溶液，优选浓度为0.1～2.0％。

15.如权利要求1～11中任一项所述的表面处理方法，其中通过等离子体气相淀积将所述离子施加到所述介电绝缘层。

16.如前述权利要求中任一项所述的表面处理方法，其中所述离子包括在体液中发现的离子。

17.如权利要求1～15中任一项所述的表面处理方法，其中所述离子包括Na⁺或K⁺或Mg²⁺阳离子。

18.如权利要求1～15中任一项所述的表面处理方法，其中所述离子包括Cl^-或PO₄^-阴离子。

19.如前述权利要求中任一项所述的表面处理方法，其中所述施加的离子的厚度在1nm～100μm的范围内。

20.如前述权利要求中任一项所述的表面处理方法，还包括干燥植入物的步骤，例如通过提供高温、提供干燥剂或者将植入物置于空气或其它气流中。

21.如权利要求2所述或如权利要求3～20中任一项在从属于权利要求2时所述的表面处理方法，其中使用外部电源来施加所述静电荷。

22.如权利要求21所述的表面处理方法，其中所述静电荷为10mV～400V范围内的电压。

23.如权利要求21或权利要求22所述的表面处理方法，其中所述静电荷由直流生成。

24.如权利要求21或权利要求22所述的表面处理方法，其中所述静电荷的频率在0～20kHz的范围内。

25.如权利要求21～23中任一项所述的表面处理方法，其中所述静电荷具有正弦、矩形、三角或斜坡波形。