[发明专利]表面波等离子体加工设备

权利要求书

1.一种表面波等离子体加工设备，包括微波源和传输匹配机构，其特征在于，所述传输匹配机构包括一体式结构的基片集成波导，所述基片集成波导沿微波的传输方向依次分为多个功能区域，且在不同的所述功能区域中形成不同的波导结构，以实现不同的功能；

所述基片集成波导包括介质基板，所述介质基板包括彼此相对的第一表面和第二表面，在所述第一表面和第二表面上均覆盖有第一金属层；并且，在所述介质基板中设置有多个贯穿其厚度的多个通孔，在所述通孔的孔壁覆盖有第二金属层，所述第二金属层的两端分别与所述第一表面和第二表面上的所述第一金属层电接触；

所述波导结构由多个所述通孔排列形成。

2.根据权利要求1所述的表面波等离子体加工设备，其特征在于，多个所述功能区域中的所述波导结构沿所述微波的传输方向依次实现调谐器、环形器、耦合器、匹配器和传输波导的功能。

3.根据权利要求2所述的表面波等离子体加工设备，其特征在于，在实现所述调谐器的功能的所述功能区域中，所述波导结构为第一波导；所述第一波导具有微波馈入端，用以供所述微波源向所述第一波导内馈入微波能量。

4.根据权利要求3所述的表面波等离子体加工设备，其特征在于，所述微波馈入端与所述第一波导的前端在所述微波的传输方向上的间距为波导波长的四分之一；所述微波馈入端与所述第一波导的后端在所述微波的传输方向上的间距为波导波长的二分之一。

5.根据权利要求2所述的表面波等离子体加工设备，其特征在于，在实现所述环形器的功能的所述功能区域中，所述波导结构为第二波导，所述第二波导包括第一支路、第二支路和第三支路，其中，

所述第二支路和所述第三支路的前端均与所述第一支路的后端连接，并且所述第二支路和所述第三支路相对于所述第一支路朝向远离彼此的方向倾斜；在所述第二支路的后端连接有用于吸收反射功率的负载；

在所述第一支路、所述第二支路和所述第三支路的连接处设置有永磁体，用于形成能够将所述反射功率偏转至所述第二支路，且将入射功率偏转至所述第三支路的偏置磁场。

6.根据权利要求2所述的表面波等离子体加工设备，其特征在于，在实现所述耦合器的功能的所述功能区域中，所述波导结构为第三波导；

在所述第三波导中设置有用于检测入射功率和反射功率的装置。

7.根据权利要求2所述的表面波等离子体加工设备，其特征在于，在实现所述匹配器的功能的所述功能区域中，所述波导结构为第四波导；

在所述第四波导中沿垂直于所述微波的传输方向插入有一个或多个调节螺钉，且所述多个调节螺钉沿所述微波的传输方向间隔设置。

8.根据权利要求2所述的表面波等离子体加工设备，其特征在于，在实现所述传输波导的功能的所述功能区域中，所述波导结构为第五波导；

所述第五波导具有输出端，用于输出微波能量。

9.根据权利要求8所述的表面波等离子体加工设备，其特征在于，所述输出端与所述第五波导的后端在所述微波的传输方向上的间距为波导波长的四分之一。