[发明专利]一种半导体芯片电子束蒸发装置及其安装方法

权利要求书

1.一种半导体芯片电子束蒸发装置，用于将芯片(2)安装至行星盘(4)上，其特征在于，包括：用于安装所述芯片(2)的盖板(1)和挡环(3)，所述挡环(3)中部设置有挡环通孔(33)，并包括沿所述芯片(2)厚度方向形成的内卡环(31)和外卡环(32)；所述外卡环(32)安装于所述行星盘(4)的行星盘卡口(5)中，所述盖板(1)设置于所述内卡环(31)的上方，所述芯片(2)通过所述盖板(1)安装于所述内卡环(31)中；所述芯片(2)设置有硅片(21)的一面朝向蒸发源材料；所述盖板(1)的下部设置有限位环(11)，所述内卡环(31)的内径尺寸(L5)大于所述芯片(2)的直径尺寸(R2)，且满足所述内卡环(31)的内径尺寸(L5)为所述芯片(2)的直径尺寸(R2)与两倍所述限位环(11)的宽度尺寸(W)之和；所述限位环(11)的外径尺寸(L4)与所述内卡环(31)的内径尺寸(L5)相匹配；所述限位环(11)的内径尺寸(L1)与所述芯片(2)的直径尺寸(R2)相匹配；所述限位环(11)的高度尺寸(H1)不超过所述芯片(2)中钼片(22)的厚度尺寸(H5)。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片电子束蒸发装置，其特征在于：所述外卡环(32)的外径尺寸(L6)与所述行星盘卡口(5)的直径尺寸(R1)相匹配。

3.根据权利要求1或2所述的半导体芯片电子束蒸发装置，其特征在于：所述内卡环(31)的高度尺寸(H4)与所述芯片(2)的厚度尺寸(H)相匹配。

4.根据权利要求3所述的半导体芯片电子束蒸发装置，其特征在于：所述外卡环(32)的内径尺寸(L2)为所述芯片(2)进行电子束蒸发时所需镀层的直径尺寸。

5.根据权利要求1、2或4所述的半导体芯片电子束蒸发装置，其特征在于：所述盖板(1)顶部的外径尺寸(L3)与所述内卡环(31)的外径尺寸(L)相匹配。

6.一种如权利要求1至5中任一项所述装置的安装方法，其特征在于，包括以下步骤：

A1)将芯片(2)设置有硅片(21)的一面朝下放入挡环(3)的内卡环(31)中；

B1)将盖板(1)放置在所述芯片(2)设置有钼片(22)一面的上部；

C1)将所述盖板(1)、芯片(2)、挡环(3)整体放置入行星盘(4)的行星盘卡口(5)内，所述挡环(3)的外卡环(32)安装于所述行星盘卡口(5)中。

7.一种如权利要求1至5中任一项所述装置的安装方法，其特征在于，包括以下步骤：

A2)将挡环(3)放置入行星盘(4)的行星盘卡口(5)内，所述挡环(3)的外卡环(32)安装于所述行星盘卡口(5)中；

B2)将芯片(2)设置有硅片(21)的一面朝下放入挡环(3)的内卡环(31)中；

C2)将盖板(1)放置在所述芯片(2)设置有钼片(22)一面的上部。

8.根据权利要求6或7所述的半导体芯片电子束蒸发装置安装方法，其特征在于：所述盖板(1)、芯片(2)、挡环(3)通过设置于所述行星盘卡口(5)内侧边缘的弹簧卡实现整体紧固安装，以避免在电子束蒸发工艺过程中随着所述行星盘(4)的公转及自转而脱落。