[发明专利]声波器件

说明书

声波器件。一种声波器件，该声波器件包括：压电薄膜谐振器，该压电薄膜谐振器连接在第一节点与第二节点之间；以及谐振电路，该谐振电路与所述压电薄膜谐振器在所述第一节点与所述第二节点之间并联连接，并且具有满足条件2×fa×0.92≤f0的谐振频率f0，其中，fa表示该压电薄膜谐振器的反谐振频率。

技术领域

本发明的特定方面涉及一种声波器件。

背景技术

使用压电薄膜谐振器的声波器件已经被用作无线装置(诸如，例如，移动电话)的滤波器和复用器。压电薄膜谐振器具有设计为具有夹设在一对电极之间的压电膜的结构。薄膜体声波谐振器(FBAR)和固态装配型谐振器(SMR)已经已知为压电薄膜谐振器。

当向压电薄膜谐振器输入较大的电力时，非线性导致在输出信号中生成二次谐波，该非线性依赖于依赖于压电膜的c轴方向。因此，例如，如日本特开2008-085989号公报和特开2007-006495号公报(在下文中，分别称为专利文献1和专利文献2)中所公开的，已知有一种划分压电薄膜谐振器从而减少二次谐波的技术。

例如，如专利文献1和专利文献2中所公开的，当划分谐振器从而减少二次谐波时，谐振器的数量增加，芯片大小因此增加。另外，由于连接划分后的谐振器的接线的寄生电容分量，所以二次谐波的减少可能变得不足。

发明内容

根据本方面的一个方面，提供了一种声波器件，该声波器件包括：压电薄膜谐振器，该压电薄膜谐振器连接在第一节点与第二节点之间；以及谐振电路，该谐振电路与压电薄膜谐振器在第一节点与第二节点之间并联连接，并且具有满足条件2×fa×0.92≤f0的谐振频率f0，其中，fa表示压电薄膜谐振器的反谐振频率。

附图说明

图1是在比较例和实施方式中使用的压电薄膜谐振器的示意性截面图；

图2A是根据第一比较例的声波器件的电路图，并且图2B例示了在第一比较例中生成的二次谐波；

图3A例示了在第一比较例中的通过特性(S21)，并且图3B例示了二次谐波；

图4是根据第二比较例的声波器件的电路图；

图5的(a)是根据第一实施方式的声波器件的电路图，并且图5的(b)例示了在第一实施方式中生成的二次谐波；

图6是在第一实施方式和第一比较例中的二次谐波与频率的关系的图；

图7A是二次谐波的峰值的减少量与谐振电路的谐振频率f0的关系的图，并且图7B是在谐振器A至C中的二次谐波的峰值的减少量与谐振频率的关系的图；

图8A是根据第二实施方式的声波器件的电路图，并且图8B例示了在第二实施方式中生成的二次谐波；

图9是在第二实施方式和第一比较例中的二次谐波与频率的关系的图；

图10A和图10B分别是压电薄膜谐振器20和声波谐振器24的多层膜的截面图，并且图10C是谐振频率与压电膜的膜厚度的关系的图；

图11是例示了压电薄膜谐振器20和声波谐振器24形成在同一衬底上的情况的截面图；

图12是根据第二实施方式的第一变型的声波器件的截面图；

图13A是根据第三比较例的滤波器的电路图；图13B呈现了用于模拟第三比较例的各个谐振器的条件；并且图13C是在第三比较例中的二次谐波与频率的关系的图；

图14A至图14C分别是第三实施方式的滤波器A至C的电路图；

图15A至图15C是滤波器A至C的二次谐波与频率的关系的图；