[发明专利]开关电源的放电方法和装置有效

专利信息
申请号: 201710380613.6 申请日: 2017-05-25
公开(公告)号: CN108964430B 公开(公告)日: 2022-01-28
发明(设计)人: 戴宇峰;徐超鹏;张金涛;杨丽华 申请(专利权)人: 中兴通讯股份有限公司
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 江舟;董文倩
地址: 518057 广*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 开关电源 放电 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种开关电源的放电方法,所述开关电源包括原边电路和副边电路,其特征在于,包括:

在接收到启动所述开关电源的指令时,判断所述副边电路的输出电容中存储的电量是否大于预设值;

在所述输出电容中存储的电量大于所述预设值的情况下,通过所述原边电路中的耗电器件和所述副边电路中的耗电器件为所述输出电容放电。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,通过所述原边电路中的耗电器件和所述副边电路中的耗电器件为所述输出电容放电包括:

通过所述原边电路中的MOS管和所述副边电路中的MOS管逐步为所述输出电容放电。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在通过所述原边电路中的MOS管和所述副边电路中的MOS管逐步为所述输出电容放电时,所述方法还包括:

获取所述输出电容的放电电流;

在所述放电电流大于预设电流的情况下,停止为所述输出电容放电。

4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在通过所述原边电路中的MOS管和所述副边电路中的MOS管逐步为所述输出电容放电时,所述方法还包括:

获取所述原边电路中的MOS管和所述副边电路中的MOS管的温度;

在所述原边电路中的MOS管和所述副边电路中的MOS管中之一的温度大于第一预设温度的情况下,停止为所述输出电容放电。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,在停止为所述输出电容放电之后,所述方法还包括:

获取所述原边电路中的MOS管和所述副边电路中的MOS管的温度;

在所述原边电路中的MOS管和所述副边电路中的MOS管的温度均小于第二预设温度的情况下,继续通过所述原边电路中的MOS管和所述副边电路中的MOS管为所述输出电容放电,其中,所述第二预设温度小于所述第一预设温度。

6.根据权利要求2至5中任一项所述的方法,其特征在于,所述副边电路中的MOS管包括所述副边电路中的第一组MOS管和第二组MOS管。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,通过所述原边电路中的MOS管和所述副边电路中的MOS管逐步为所述输出电容放电包括:

按照为所述第一组MOS管设置的第一占空比导通所述第一组MOS管,以通过所述原边电路中的MOS管和所述第一组MOS管为所述输出电容放电,其中,当所述第一组MOS管为导通状态时,所述第二组MOS管为关闭状态;

按照为所述第二组MOS管设置的第二占空比导通所述第二组MOS管,以通过所述原边电路中的MOS管和所述第二组MOS管为所述输出电容放电,其中,当所述第二组MOS管为导通状态时,所述第一组MOS管为关闭状态。

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,

所述第一占空比用于使所述第一组MOS管的放电电流小于预设值,任意一次导通所述第一组MOS管时使用的所述第一占空比不小于前一次导通所述第一组MOS管时使用的所述第一占空比;

所述第二占空比用于使所述第二组MOS管的放电电流小于所述预设值,任意一次导通所述第二组MOS管时使用的所述第二占空比不小于前一次导通所述第二组MOS管时使用的所述第二占空比。

9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在通过所述原边电路中的耗电器件和所述副边电路中的耗电器件为所述输出电容放电之后,所述方法还包括:

在所述输出电容中存储的电量不大于所述预设值的情况下,对所述开关电源进行缓启动。

10.一种开关电源的放电装置,所述开关电源包括原边电路和副边电路,其特征在于,包括:

判断单元,用于在接收到启动所述开关电源的指令时,判断所述副边电路的输出电容中存储的电量是否大于预设值;

放电单元,用于在所述输出电容中存储的电量大于所述预设值的情况下,通过所述原边电路中的耗电器件和所述副边电路中的耗电器件为所述输出电容放电。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中兴通讯股份有限公司,未经中兴通讯股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710380613.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top