[发明专利]开关电源的放电方法和装置有效
申请号: | 201710380613.6 | 申请日: | 2017-05-25 |
公开(公告)号: | CN108964430B | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 戴宇峰;徐超鹏;张金涛;杨丽华 | 申请(专利权)人: | 中兴通讯股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 江舟;董文倩 |
地址: | 518057 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 开关电源 放电 方法 装置 | ||
1.一种开关电源的放电方法,所述开关电源包括原边电路和副边电路,其特征在于,包括:
在接收到启动所述开关电源的指令时,判断所述副边电路的输出电容中存储的电量是否大于预设值;
在所述输出电容中存储的电量大于所述预设值的情况下,通过所述原边电路中的耗电器件和所述副边电路中的耗电器件为所述输出电容放电。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,通过所述原边电路中的耗电器件和所述副边电路中的耗电器件为所述输出电容放电包括:
通过所述原边电路中的MOS管和所述副边电路中的MOS管逐步为所述输出电容放电。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在通过所述原边电路中的MOS管和所述副边电路中的MOS管逐步为所述输出电容放电时,所述方法还包括:
获取所述输出电容的放电电流;
在所述放电电流大于预设电流的情况下,停止为所述输出电容放电。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在通过所述原边电路中的MOS管和所述副边电路中的MOS管逐步为所述输出电容放电时,所述方法还包括:
获取所述原边电路中的MOS管和所述副边电路中的MOS管的温度;
在所述原边电路中的MOS管和所述副边电路中的MOS管中之一的温度大于第一预设温度的情况下,停止为所述输出电容放电。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,在停止为所述输出电容放电之后,所述方法还包括:
获取所述原边电路中的MOS管和所述副边电路中的MOS管的温度;
在所述原边电路中的MOS管和所述副边电路中的MOS管的温度均小于第二预设温度的情况下,继续通过所述原边电路中的MOS管和所述副边电路中的MOS管为所述输出电容放电,其中,所述第二预设温度小于所述第一预设温度。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的方法,其特征在于,所述副边电路中的MOS管包括所述副边电路中的第一组MOS管和第二组MOS管。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,通过所述原边电路中的MOS管和所述副边电路中的MOS管逐步为所述输出电容放电包括:
按照为所述第一组MOS管设置的第一占空比导通所述第一组MOS管,以通过所述原边电路中的MOS管和所述第一组MOS管为所述输出电容放电,其中,当所述第一组MOS管为导通状态时,所述第二组MOS管为关闭状态;
按照为所述第二组MOS管设置的第二占空比导通所述第二组MOS管,以通过所述原边电路中的MOS管和所述第二组MOS管为所述输出电容放电,其中,当所述第二组MOS管为导通状态时,所述第一组MOS管为关闭状态。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,
所述第一占空比用于使所述第一组MOS管的放电电流小于预设值,任意一次导通所述第一组MOS管时使用的所述第一占空比不小于前一次导通所述第一组MOS管时使用的所述第一占空比;
所述第二占空比用于使所述第二组MOS管的放电电流小于所述预设值,任意一次导通所述第二组MOS管时使用的所述第二占空比不小于前一次导通所述第二组MOS管时使用的所述第二占空比。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在通过所述原边电路中的耗电器件和所述副边电路中的耗电器件为所述输出电容放电之后,所述方法还包括:
在所述输出电容中存储的电量不大于所述预设值的情况下,对所述开关电源进行缓启动。
10.一种开关电源的放电装置,所述开关电源包括原边电路和副边电路,其特征在于,包括:
判断单元,用于在接收到启动所述开关电源的指令时,判断所述副边电路的输出电容中存储的电量是否大于预设值;
放电单元,用于在所述输出电容中存储的电量大于所述预设值的情况下,通过所述原边电路中的耗电器件和所述副边电路中的耗电器件为所述输出电容放电。
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