[发明专利]有机电致发光阵列基板和显示装置有效
申请号: | 201710381703.7 | 申请日: | 2017-05-24 |
公开(公告)号: | CN106952939B | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 高志扬;徐朝哲;邵贤杰;赵远洋;赵梦柯 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 陈平 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 阵列 显示装置 | ||
本公开提供一种有机电致发光阵列基板和包含有机电致发光阵列基板的显示装置。所述有机电致发光阵列基板包含:像素阵列,所述像素阵列中的每个像素具有发光区域;和像素限定层,所述像素限定层用于限定每个像素的发光区域,其中所述像素限定层的体电阻率为107至1010Ω·m。通过采用本公开的有机电致发光阵列基板,可以降低阴极层和驱动电路层中的金属线之间的耦合电容,当第一金属线和/或第二金属线上的电压发生突变时,其周边的阴极电压的变化较小,从而减少串扰。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,更具体地,涉及一种有机电致发光阵列基板和包含所述有机电致发光阵列基板的显示装置。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)因其自发光、驱动电压低、响应快、宽视角等而备受业界关注。有机电致发光阵列面板主要包含薄膜晶体管(TFT)驱动电路层,阳极层,像素限定层,有机材料层和阴极层,其中TFT驱动电路层至少包含第一金属线和第二金属线两条信号线,阳极层域和像素定义区覆盖第一金属线和第二金属线。阴极层覆盖整个阳极层域和像素定义区,与第一金属线和第二金属线存在交叠面积,造成寄生电容。
当第一金属线和/或第二金属线的电压发生突变时,由于寄生电容的影响,造成其周边的阴极电位也跟随发生变化,造成串扰不良。
发明内容
因此,需要提供一种有机电致发光阵列基板,通过使像素限定层的体电阻率介于107至1010Ω·m之间,可以有效地降低阴极层和驱动电路层中的金属线之间的耦合电容,当第一金属线和/或第二金属线上的电压发生突变时,其周边的阴极电压变化较小,从而减少串扰。
本发明的另一个目的在于提供一种显示装置,其包括上面所述的有机电致发光面板。
因此,在本公开的一个方面,提供一种有机电致发光阵列基板,其包含:像素阵列,所述像素阵列中的每个像素具有发光区域;和像素限定层,所述像素限定层用于限定每个像素的发光区域,其中所述像素限定层的体电阻率为107至1010Ω·m。
根据本公开的一个实施方案,所述像素限定层的体电阻率为107至108Ω·m。
根据本公开的另一个实施方案,所述像素限定层由掺杂有导电材料的聚酰亚胺类材料或亚克力材料形成。
根据本公开的另一个实施方案,所述导电材料选自金属、导电金属氧化物、导电聚合物或其任何混合物。
根据本公开的另一个实施方案,所述导电材料是导电纳米材料。
根据本公开的另一个实施方案,所述导电纳米材料选自导电纳米线、导电纳米管、导电纳米粒子或其任何混合物。
根据本公开的另一个实施方案,所述导电纳米粒子的粒径等于或小于100nm。
根据本公开的另一个实施方案,所述导电纳米线的长度等于或小于100nm,并且直径等于或小于1/2长度。
根据本公开的另一个实施方案,所述导电材料与所述聚酰亚胺类材料的体积比为1∶1000至1∶20。
在本公开的一个方面,提供一种显示装置,其包括上面所述的有机电致发光阵列基板。
通过使像素限定层的体电阻率介于107至1010Ω·m之间,可以有效地降低阴极层和驱动电路层中的金属线之间的耦合电容,当第一金属线和/或第二金属线上的电压发生突变时,其周边的阴极电压变化较小,从而减少串扰。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的