[发明专利]一种大宽厚比B掺杂SiC纳米带及其制备方法有效
| 申请号： | 201710381750.1 | 申请日： | 2017-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN107265460B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 高凤梅;李笑笑;陈善亮;王霖;杨为佑 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | C01B32/977 | 分类号： | C01B32/977;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 | 代理人： | 洪珊珊 |
| 地址： | 315016 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 宽厚 掺杂 sic 纳米 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种大宽厚比B掺杂SiC纳米带，包括，其特征在于，所述B掺杂SiC纳米带的宽度为1～4μm，厚度为80～90nm，B的掺杂量为6.5～7.5at.%，且所述B掺杂SiC纳米带为单晶结构，相成份为3C-SiC，沿[]方向生长，具有（111）表面；
所述大宽厚比B掺杂SiC纳米带的制备方法，包括如下步骤：将有机前驱体进行预处理后，与B2O3粉末混匀，将混匀后的物料与碳纸衬底一起置于气氛烧结炉中，先经程序升温再经程序降温，即制得B掺杂SiC纳米带，
所述程序升温的过程为，先以28～32℃/min的速率从室温升至1370～1430℃，再以23～27℃/min的速率升温至1470～1530℃，
所述程序降温的过程为，先以17～23℃/min的速率降温至1070～1130℃，再随炉冷却至室温。
2.根据权利要求1所述的B掺杂SiC纳米带，其特征在于，所述有机前驱体为含有Si和C的有机前驱体。
3.根据权利要求1所述的B掺杂SiC纳米带，其特征在于，所述预处理包括热交联固化和球磨粉碎。
4.根据权利要求1所述的B掺杂SiC纳米带，其特征在于，所述有机前驱体与B2O3粉末的质量比为（4～6）:1。
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