[发明专利]半导体装置

说明书

本发明的实施方式提供一种寄生晶体管不易动作的半导体装置。实施方式的半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第1电极、第2导电型的第4半导体区域、第1导电型的第5半导体区域、栅极电极、第2导电型的第6半导体区域、第2电极及第3电极。第2半导体区域及第3半导体区域设置于第1半导体区域之下。第3半导体区域的第2导电型的载流子浓度低于第2半导体区域的第2导电型的载流子浓度。栅极电极与第4半导体区域对向。第6半导体区域设置于第1半导体区域之上，且位于第3半导体区域之上。第2电极介隔第1绝缘层而与第6半导体区域对向。第3电极与第2电极电连接。

[相关申请]

本申请享有以日本专利申请2016-182773号(申请日：2016年9月20日)为基础申请的优先权。本申请通过参考该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种半导体装置。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管)等半导体装置具有寄生双极晶体管(以下，简称为寄生晶体管)。关于这种半导体装置，理想的是寄生晶体管不易动作。

发明内容

本发明提供一种寄生晶体管不易动作的半导体装置。

实施方式的半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第1电极、第2导电型的第4半导体区域、第1导电型的第5半导体区域、栅极电极、第2导电型的第6半导体区域、第2电极及第3电极。所述第2半导体区域设置于所述第1半导体区域的一部分之下。所述第3半导体区域设置于所述第1半导体区域的另一部分之下。所述第3半导体区域的第2导电型的载流子浓度低于所述第2半导体区域的第2导电型的载流子浓度。所述第1电极设置于所述第2半导体区域及所述第3半导体区域之下。所述第4半导体区域设置于所述第1半导体区域之上，且位于所述第2半导体区域之上。所述第5半导体区域选择性地设置于所述第4半导体区域之上。所述栅极电极介隔栅极绝缘层而与所述第4半导体区域对向。所述第6半导体区域设置于所述第1半导体区域之上，且至少一部分位于所述第3半导体区域之上。所述第2电极介隔第1绝缘层而与所述第6半导体区域对向。所述第3电极设置于所述第4半导体区域、所述第5半导体区域及所述第6半导体区域之上。所述第3电极与所述第4半导体区域、所述第5半导体区域、所述第6半导体区域及所述第2电极电连接。

附图说明

图1是第1实施方式的半导体装置的俯视图。

图2是包含图1的A-A'截面的立体剖视图。

图3是图1的B-B'剖视图。

图4是表示第1实施方式的第1变化例的半导体装置的一部分的立体剖视图。

图5是表示第1实施方式的第2变化例的半导体装置的一部分的立体剖视图。

图6是表示第2实施方式的半导体装置的一部分的立体剖视图。

图7是包含图6的A-A'线的X-Z面上的剖视图。

图8是表示第2实施方式的变化例的半导体装置的一部分的立体剖视图。

图9是表示第3实施方式的半导体装置的一部分的立体剖视图。

图10是表示第3实施方式的变化例的半导体装置的一部分的立体剖视图。

具体实施方式

以下，一边参照附图，一边对本发明的各实施方式进行说明。

此外，附图是模式性或概念性图，各部分的厚度与宽度的关系、部分之间的大小的比率等未必限定为与实物相同。另外，即便在表示相同部分的情况下，也存在彼此的尺寸或比率根据附图而不同地表示的情况。