[发明专利]一种磁应变测量方法

权利要求书

1.一种磁应变测量方法，其特征在于：该测量方法的步骤为：

步骤一、将待测NiMnGa薄膜样品放入夹持器内，并夹持NiMnGa薄膜样品的左端，其右端不受约束；

步骤二、将夹持有NiMnGa薄膜样品的夹持器置于磁场和温度场环境中，在未加磁场前，利用强激光脉冲照射NiMnGa薄膜样品，在NiMnGa薄膜样品上烧蚀出第一个小孔，通过电磁场对NiMnGa薄膜样品施加磁场，磁场强度在0至2特斯拉之间调节，温度场范围为0至100摄氏度；NiMnGa薄膜样品伸长后，再用激光束位置不变的强激光脉冲照射NiMnGa薄膜样品，在NiMnGa薄膜样品上烧蚀出第二个小孔；

步骤三、测量NiMnGa薄膜样品上第一个小孔和第二个小孔之间的距离，其测量方法为：将NiMnGa薄膜样品的两个小孔通过成像镜头成像在线阵CCD芯片像敏元阵列上，通过平行光源垂直照射NiMnGa薄膜样品上的两个小孔，使得光源垂直通过NiMnGa薄膜样品上的小孔，将成像部分设置在暗室环境中，通过线阵CCD芯片输出端口的输出电压计算出两个小孔之间的距离△L，计算公式为：

t₁：线阵CCD芯片输出一个周期上升沿到输出图像信号最大峰值时间；

t₂：当样品伸长后线阵CCD芯片输出一个周期上升沿到输出图像信号最大峰值时间；

t₃：线阵CCD芯片一个扫描周期的输出时间；

a：线阵CCD芯片一行光敏元的有效像元个数；

b：线阵CCD芯片光敏元中心间距；

β：光学系统放大倍数；

步骤四、得出NiMnGa薄膜样品的应变量，应变量＝(△L/L)×100％，L为未加磁场前NiMnGa薄膜样品左端与第一个小孔之间的间距。

2.根据权利要求1所述的一种磁应变测量方法，其特征在于：所述的NiMnGa薄膜样品的长度为1厘米至2厘米，其宽度为0.3厘米至1厘米。

3.根据权利要求1所述的一种磁应变测量方法，其特征在于：所述温度场的调节通过电阻加热和液氮冷却装置对夹持器的温度的调节进行控制。