[发明专利]一种有机-无机杂化硅膜孔结构和表面性质的改性方法

权利要求书

1.一种有机-无机杂化硅膜孔结构和表面性质的改性方法，其特征在于：所述的改性方法为，使用叔丁基过氧化氢溶液和NaHSO₃/Na ₂SO₃溶液对有机-无机杂化硅膜中的烯烃基团进行环氧化和开环磺化反应;

所述的改性方法的具体步骤为，

(1)将有机-无机杂化硅膜浸入碱性溶液中；

(2)将步骤(1)所得体系进行冷却，并加入叔丁基过氧化氢溶液充分搅拌，使其进行环氧化反应；

(3)将步骤(2)中得到的有机-无机杂化硅膜洗涤、干燥后浸入NaHSO₃/Na₂SO₃溶液中充分搅拌，并再次洗涤、干燥。

2.如权利要求1所述的有机-无机杂化硅膜孔结构和表面性质的改性方法，其特征在于：步骤(1)中，制备所述的有机-无机杂化硅膜中的分离层所用的溶胶为含不饱和烯烃基团的有机硅溶胶，该有机硅溶胶的结构包括桥架结构(EtO)₃-Si-R-Si-(OEt)₃或侧基结构(EtO)₃-Si-R，其中R为含有-C＝C-的基团。

3.如权利要求1所述的有机-无机杂化硅膜孔结构和表面性质的改性方法，其特征在于：步骤(1)中，所述的碱性溶液为12mL的无水乙腈中分散有2mol/L的NaOH水溶液100μL。

4.如权利要求1所述的有机-无机杂化硅膜孔结构和表面性质的改性方法，其特征在于：步骤(2)中，将体系冷却至-5℃，具体为将-5℃的冰盐水作为所述环氧化反应的冰水浴。

5.如权利要求1所述的有机-无机杂化硅膜孔结构和表面性质的改性方法，其特征在于：步骤(2)中所述的叔丁基过氧化氢溶液的溶剂为葵烷，其中，叔丁基过氧化氢的浓度为40.4wt.％。

6.如权利要求1所述的有机-无机杂化硅膜孔结构和表面性质的改性方法，其特征在于：步骤(2)中，搅拌时间为4.5h。

7.如权利要求1所述的有机-无机杂化硅膜孔结构和表面性质的改性方法，其特征在于：步骤(3)中，NaHSO₃/Na ₂SO₃溶液中的NaHSO₃浓度为1.5mol/L， Na ₂SO₃浓度为1.0mol/L。

8.如权利要求1所述的有机-无机杂化硅膜孔结构和表面性质的改性方法，其特征在于：步骤(3)中，搅拌温度为40℃，搅拌时间为10～14h。

9.如权利要求1所述的有机-无机杂化硅膜孔结构和表面性质的改性方法，其特征在于：步骤(3)中，洗涤试剂为无水乙腈或无水乙醇，干燥条件为真空条件下60℃干燥3h。