[发明专利]存储器管理方法、存储器控制电路单元及存储器存储装置

说明书

本发明提供一种存储器管理方法、存储器控制电路单元及存储器存储装置。此方法包括：配置多个第一类超实体单元与至少一第二类超实体单元，其中一个第一类超实体单元包括可同时被程序化的至少两个可用实体抹除单元，而一个第二类超实体单元包括不可同时被程序化的至少两个可用实体抹除单元。此方法还包括：将第一类超实体单元配置为可基于第一程序化模式与第二程序化模式的其中之一来程序化，并且将第二类超实体单元配置为仅能基于第一程序化模式来程序化。藉此，可改善第二类超实体单元在配置上与部分存储器存储装置不相容的问题。

技术领域

本发明涉及一种存储器管理方法，尤其涉及一种可复写式非易失性存储器模块的存储器管理方法、存储器控制电路单元及存储器存储装置。

背景技术

数码相机、移动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(例如，快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。

一般来说，可复写式非易失性存储器模块是由一个存储器控制电路单元所控制。存储器控制电路单元可接收来自主机系统的数据，并把这些数据写入至可复写式非易失性存储器模块中。在一些设置中，可复写式非易失性存储器模块具有多个平面(plane)，并且每个平面包括多个实体抹除单元。存储器控制电路单元会将属于不同平面的多个实体抹除单元配置为同一个超实体抹除单元，并且存储器控制电路单元会交错地或是同时地程序化同一个超实体抹除单元内的实体抹除单元。藉此，当主机系统所下达的是连续数据时，把数据写入至可复写式非易失性存储器模块的速度会增加。

然而，可复写式非易失性存储器模块的各平面中的可能会包括可用实体抹除单元及坏实体抹除单元，而存储器控制电路仅会使用各平面中的可用实体抹除单元来配置为超实体抹除单元。倘若，各平面中包括不同数量的坏实体抹除单元，相对地，各平面中就会包括不对等数量的可用实体抹除单元。在此种情况下，包括较多可用实体抹除单元的平面中将存在剩余的可用实体抹除单元无法被配置为超实体抹除单元，进而影响实际可使用的存储空间的大小。因此，如何充分地利用可用实体抹除单元来配置更多的超实体抹除单元以提升实体抹除单元的使用率，为此领域技术人员所关心的议题。

此外，根据某些存储器存储装置规范，同一个平面中不可同时存在多个操作于复数阶存储单元(Trinary Level Cell，TLC)程序化模式的开启区块(open block)。例如，在TLC系统中，若将同一个平面中的多个可用实体抹除单元配置为同一个超实体抹除单元，则后续操作上将会出现问题。因此，如何兼顾实体抹除单元的使用率以及系统相容性，也为此领域技术人员关心的议题。

发明内容

本发明提供一种存储器管理方法、存储器控制电路单元及存储器存储装置，可将属于同一平面中的多个实体抹除单元配置为同一个超实体单元，并将其配置为仅能操作于特定程序化模式，以兼顾实体抹除单元的使用率以及系统相容性。