[发明专利]硼砂腐蚀单晶硅制作表面增强拉曼基底的方法

权利要求书

1.硼砂腐蚀单晶硅制作表面增强拉曼基底的方法，其特征在于，在单晶硅表面制备出适合于制作拉曼基底的微结构，单晶硅表面微结构上有一层纳米金薄膜。

2.根据权利要求1所述的硼砂腐蚀单晶硅制作表面增强拉曼基底的方法，其特征在于，所述单晶硅表面金字塔尺寸金字塔表面覆盖率接近99.0%，且均匀性高，平均尺寸为3.54μm，所述金薄膜的厚度为在电流为20mA，镀膜时间为5.5min。

3.权利要求1或2所述的硼砂腐蚀单晶硅制作表面增强拉曼基底的方法，包括以下步骤：

（1）使用标准的清洗方法对反应前后的单晶硅表面进行清洗；

（2）利用碱溶液对单晶硅表面的各向异性腐蚀性制备微结构，所述碱溶液为NaOH和硼砂（Na₂B₄O₇·10H₂O）混合溶液；

（3）使用108auto真空镀膜仪在已经制备好的单晶硅表面微结构上镀上厚度适宜的纳米金薄膜，并使用QE65 pro便携式拉曼光谱仪对单晶硅表面增强拉曼基底的增强性能进行测试。

4.根据权利要求3所述的硼砂腐蚀单晶硅制作表面增强拉曼基底的方法，其特征在于，步骤（1）包括：

制备微结构前将单晶硅片切成1.5cm×1.5cm的小样品，将小样品在酒精溶液和超纯水中依次超声清洗5min，清洗完毕后立即放入洗净并烘干的培养皿中，将装有样品的培养皿放入恒温干燥箱中将样品烘干备用；干燥完成之后立即将硅片投入到浓度为5%的HF溶液中浸泡40s去除表面的SiO₂氧化层，达到预定时间后立即将样品取出并使用流动的超纯水冲洗样品表面，再将样品投入超纯水中进行超声清洗5min；清洗完毕后立即放入洗净并烘干的培养皿中，将装有样品的培养皿放入恒温干燥箱中将样品烘干备用。

5.根据权利要求3所述的硼砂腐蚀单晶硅制作表面增强拉曼基底的方法，其特征在于，步骤（2）包括：

利用天平、容量瓶、玻璃棒实验工具配制成实验所需混合溶液，将混合溶液倒入用超纯水充分洗净并烘干自制反应釜中，将反应釜置于恒温磁力搅拌器的水浴锅内预热15min；预热完毕用塑料夹子固定硅片后投入混合溶液中进行反应，制绒反应结束后立即将硅片取出，依次在酒精和超纯水中超声清洗，分别清洗1次和3次，清洗完毕后立即将样品放入恒温干燥箱中烘干备用。

6.根据权利要求3所述的硼砂腐蚀单晶硅制作表面增强拉曼基底的方法，其特征在于，步骤（3）包括：

将制备好微结构的单晶硅片放到镀膜样品台上，使用108auto真空镀膜仪镀上厚度适宜的纳米金薄膜，按照标准镀膜步骤进行镀膜，并使用QE65 pro便携式拉曼光谱仪对单晶硅表面增强拉曼基底的增强性能进行测试。