[发明专利]一种低驱动电压凹面电极静电执行器及制作方法

权利要求书

1.一种低驱动电压凹面电极静电执行器的制作方法，其特征在于，包括：

步骤1、选取两片具备一定硅厚度和氧化层厚度的SOI片用于制作上电极和凹面电极，分别标记为SOI-T片和SOI-B片；

步骤2、将两种SOI片分别进行标准RCA清洗后，进行湿法热氧化并采用低压化学气相沉积生长氮化层；

步骤3、将SOI-T片进行曝光和浅刻蚀工艺后，形成图形标记；将底电极区域进行刻蚀，以方便与引线相连；将器件层硅与泵腔体层硅进行键合，形成完整微泵腔体，键合完后对SOI-T底层硅进行减薄；

步骤4、将SOI-B片上表面进行曝光和浅刻蚀工艺，形成图形标记，并在电极形变区进行表面粗糙处理，然后将底电极区域进行刻蚀，以方便与引线相连；

步骤5、在SOI-B背底面相应于曲面电极部分进行光刻、深刻蚀微加工，直至刻蚀至SOI内部氧化硅层；

步骤6、将刻蚀好的SOI-B与已经与泵体部分键合的SOI-T底部进行直接键合；

步骤7、将SOI-B片上的深硅刻蚀区域填充环氧树脂胶，然后用玻璃与SOI-B片进行键合或粘接；由于顶层硅薄膜因环氧树脂胶的固化收缩效应而形成凹面结构；凹面收缩的幅度可通过环氧树脂的成分调节来实现。

2.根据权利要求1所述静电执行器的制作方法，其特征在于，所述步骤7还可通过下列方法进行替换：

对键合好的SOI-B片面置入真空吸盘上抽真空，SOI-B面的曲面电极薄膜形成凹面的塑性形变，最后对背面进行封装处理。

3.根据权利要求2所述静电执行器的制作方法，其特征在于，所述凹面的塑性形变的幅度可通过真空压力大小来调节。