[发明专利]一种薄膜电感、电源转换电路和芯片

说明书

本申请提供了一种薄膜电感，该薄膜电感包括多层磁性薄膜，该多层磁性薄膜至少包括相邻的第一磁性薄膜和第二磁性薄膜，所述第一磁性薄膜嵌套在所述第二磁性薄膜内，且所述第一磁性薄膜的相对磁导率小于所述第二磁性薄膜的相对磁导率，且所述第一磁性薄膜的相对磁导率和所述第二磁性薄膜的相对磁导率之间的差值大于或等于第一阈值，其中，在所述第二磁性薄膜的磁感应强度达到所述第二磁性薄膜的饱和磁感应强度的情况下，所述第一磁性薄膜的磁感应强度小于或等于所述第一磁性薄膜的饱和磁感应强度。采用本申请能够避免该第一磁性薄膜由于易于达到磁饱和而导致的该薄膜电感的电感量急剧下降的问题。另外，本申请还提供了相应的电源转换电路和芯片。

技术领域

本申请涉及电路领域，并且更具体地，涉及一种薄膜电感、电源转换电路和芯片。

背景技术

现有技术中，薄膜电感的薄膜磁芯是有多层磁性薄膜层层嵌套而成的。在该多层磁性薄膜中，通常，内层磁性薄膜的磁感应强度达到该内层磁性薄膜的饱和磁感应强度要比外层磁性薄膜达到该外层磁性薄膜的饱和磁感应强度更快一些。在内层磁性薄膜的磁感应强度达到该内层磁性薄膜的饱和磁感应强度的情况下，该内层磁性薄膜的相对磁导率将接近于零，从而使得该薄膜电感的电感量急剧下降。在该薄膜电感位于电源转换电路中时，该电源转换电路中的电流将会激增，严重时会烧毁负载。

因此，如何降低上述薄膜电感中内层磁性薄膜的磁感应强度易饱和的可能性，已成为亟需解决的问题。

发明内容

本申请提供一种薄膜磁芯、薄膜电感和电源转换电路，能够有效地降低内层磁性薄膜的磁感应强度容易饱和的可能性。

第一方面，本申请提供了一种薄膜电感，所述薄膜电感包括薄膜磁芯和至少一个导电体，所述薄膜磁芯呈两端开口的筒状结构，所述薄膜磁芯包括多层磁性薄膜，每层磁性薄膜均呈两端开口的筒状结构，所述多层磁性薄膜层层嵌套，每相邻两层磁性薄膜之间间隔有绝缘层，所述至少一个导电体位于所述多层磁性薄膜中最内层薄膜磁性的内腔中；

每相邻两层磁性薄膜包括内层磁性薄膜和外层磁性薄膜，所述内层磁性薄膜嵌套在所述外层磁性薄膜内，所述内层磁性薄膜的相对磁导率小于或等于所述外层磁性薄膜的相对磁导率，

所述多层磁性薄膜至少包括相邻的第一磁性薄膜和第二磁性薄膜，所述第一磁性薄膜嵌套在所述第二磁性薄膜内，且所述第一磁性薄膜的相对磁导率小于所述第二磁性薄膜的相对磁导率，且所述第一磁性薄膜的相对磁导率和所述第二磁性薄膜的相对磁导率之间的差值大于或等于第一阈值，其中，在所述第二磁性薄膜的磁感应强度达到所述第二磁性薄膜的饱和磁感应强度的情况下，所述第一磁性薄膜的磁感应强度小于或等于所述第一磁性薄膜的饱和磁感应强度。

因此，在本申请提供的薄膜电感中，虽然第一磁性薄膜被嵌套在第二磁性薄膜的内部，但是通过限定第一磁性薄膜的相对磁导率小于第二磁性薄膜的相对磁导率，以及限定第一磁性薄膜的相对磁导率和第二磁性薄膜的相对磁导率之间的差值大于或等于50，使得在第二磁性薄膜的磁感应强度达到第二磁性薄膜的饱和磁感应强度时，第一磁性薄膜的磁感应强度小于或等于第一磁性薄膜的饱和磁感应强度。也即，在本申请提供的薄膜电感中，由于位于内层的第一磁性薄膜的磁感应强度达到该第一磁性薄膜的饱和磁感应强度要比位于外层的第二磁性薄膜的磁感应强度达到该第二磁性薄膜的饱和磁感应强度更晚一些。由于在设置该第二磁性薄膜时，会考虑到避免该第二磁性薄膜达到磁饱和的问题。因此，在第一磁性薄膜不会先于第二磁性薄膜达到磁饱和的情况下，能够避免现有技术中由于第一磁性薄膜易于达到磁饱和而导致的薄膜电感的电感量急剧下降的问题。

结合第一方面，在第一方面的第一种可能的实现方式中，每相邻两层磁性薄膜中，所述内层磁性薄膜的相对磁导率和所述外层磁性薄膜的相对磁导率之间的差值均大于或等于所述第一阈值，其中，在所述外层磁性薄膜的磁感应强度达到所述外层磁性薄膜的饱和磁感应强度的情况下，所述内层磁性薄膜的磁感应强度小于或等于所述内层磁性薄膜的饱和磁感应强度。