[发明专利]一种LED晶元切割方法

说明书

技术领域

本发明涉及LED行业，特别是一种LED晶元切割方法。

背景技术

晶元切割工艺其实就是通过滚刀机械磨损或镭射灼烧后，再通过劈裂，将大晶元劈成矩形小晶粒的过程。现有对LED晶元的切割通常是一个LED晶元只能切割成一种规格的芯片，而在需要不同规格的芯片时就需要对应切割多个LED晶元，然而由于LED晶元为圆面，芯片为方形，这样导致每个LED晶元在切割过程中费料较多，浪费LED晶元，提高制造成本。

发明内容

针对上述问题，本发明提供了一种LED晶元切割方法， 可在同一LED晶元上同时切割两种不同大小的芯片，提高LED芯片利用率，降低制造成本。

本发明采用的技术方案为：

一种LED晶元切割方法，包括以下步骤：

S1，选定待切割晶元；

S2，在待切割晶元上划分形成四个顶点都在待切割晶元圆周上的矩形区；

S3，在待切割晶元的矩形区按照横向和竖向切割形成面积相对较大的第一芯片区；

S4，在待切割晶元上的非矩形区域按照横向和竖向切割形成面积相对较小的第二芯片区。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于：本发明提供一种LED晶元切割方法，在同一LED晶元的矩形区切割形成面积相对较大的第一芯片区，在非矩形区切割形成面积相对较小的第二芯片区，这样可在同一LED晶元上同时切割两种不同大小的芯片区，提高LED芯片利用率，降低制造成本。

附图说明

图1为本发明提供的一种LED晶元切割方法的示意图；

图2为本发明提供的一种LED晶元切割方法的流程图。

具体实施方式

根据附图对本发明提供的优选实施方式作出具体说明。

参照图1和图2，本发明提供的一种LED晶元切割方法，具体包括以下步骤：S1，选定待切割晶元；S2，在待切割晶元上划分形成四个顶点都在待切割晶元圆周上的矩形区100；S3，在待切割晶元的矩形区按照横向和竖向切割形成面积相对较大的第一芯片区10；S4，在待切割晶元上的非矩形区域200按照横向和竖向切割形成面积相对较小的第二芯片区20，这样可在同一LED晶元上同时切割两种不同大小的芯片区，提高LED芯片利用率，降低制造成本。

综上所述，本发明的技术方案可以充分有效的实现上述发明目的，且本发明的结构及功能原理都已经在实施例中得到充分的验证，能达到预期的功效及目的，在不背离本发明的原理和实质的前提下，可以对发明的实施例做出多种变更或修改。因此，本发明包括一切在专利申请范围中所提到范围内的所有替换内容，任何在本发明申请专利范围内所作的等效变化，皆属本案申请的专利范围之内。