[发明专利]垂直型薄膜晶体管及其制备方法

说明书

本发明提供了一种垂直型薄膜晶体管的制备方法。垂直型薄膜晶体管包括：第一电极、间隔层、有源层、栅绝缘层、第二电极和栅电极，栅电极且与第二电极同层。制备方法包括：在基底上依次形成第一电极、隔离层、有源层和栅绝缘层；在栅绝缘层上同时形成第二电极和栅电极，第二电极通过栅绝缘层过孔与有源层连接。本发明栅电极和第二电极通过一次构图工艺形成，减少了工艺流程，提高了生产效率，降低了成本。栅电极和第二电极同层设置，对位精度高，提升了良品率。进一步地，垂直型薄膜晶体管有效减小了薄膜晶体管的尺寸，提高了开口率，实现了高分辨率显示。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种垂直型薄膜晶体管及其制备方法。

背景技术

平板显示装置，如薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film TransistorLiquidCrystal Display，TFT-LCD)和有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix OrganicLight Emitting Diode，AMOLED)，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，越来越多地被应用于高性能显示领域当中。其中，TFT-LCD的主体结构包括对盒的阵列基板和彩膜基板，阵列基板包括矩阵排列的多个像素单元，像素单元由多条栅线和多条数据线垂直交叉限定，在栅线与数据线的交叉位置处设置TFT。AMOLED的结构主要由TFT和OLED构成。

近年来，高分辨率显示面板逐渐成为行业发展趋势。显示面板的分辨率(Pixelsper inch，PPI)与阵列基板的像素开口率有关，而阵列基板的像素开口率与每个像素单元的薄膜晶体管尺寸有关，薄膜晶体管所占区域越大，像素开口率就越低，显示面板的分辨率越低，为此，现有技术提出了一种垂直型薄膜晶体管，通过减小薄膜晶体管尺寸，提高像素开口率，提高分辨率。

图1为现有垂直型薄膜晶体管的结构示意图。如图1所示，垂直型薄膜晶体管包括：设置在基底10上的缓冲层11，设置在缓冲层11上的源电极12，设置在源电极12上的间隔层13，设置在间隔层13上的漏电极14，设置在漏电极14和源电极12上的有源层15，覆盖有源层15的栅绝缘层16，设置在栅绝缘层16上的栅电极17。现有垂直薄膜晶体管的制备流程为：通过第一次构图工艺形成缓冲层11和源电极12，通过第二次构图工艺形成间隔层13，通过第三次构图工艺形成漏电极14，通过第四次构图工艺形成有源层15，通过第五次构图工艺形成栅绝缘层16，通过第六次构图工艺形成栅电极17。根据现有垂直型薄膜晶体管的结构和制备流程可以看出，由于该结构形式的薄膜晶体管具有7个膜层，需要6次构图工艺，不仅工序复杂导致生产效率低、生产成本高，并且误差叠加影响对位精度，良品率低。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题是，提供一种垂直型薄膜晶体管及其制备方法，以克服现有制备方法工序复杂、对位精度低等缺陷。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种垂直型薄膜晶体管的制备方法，包括：

在基底上依次形成第一电极、隔离层、有源层和栅绝缘层；

在栅绝缘层上同时形成第二电极和栅电极，第二电极通过栅绝缘层过孔与有源层连接。

可选地，所述隔离层的厚度为0.5μm～2.0μm；所述隔离层在基底上的正投影宽度小于第一电极在基底上的正投影宽度，隔离层邻近有源层一侧露出所述第一电极的表面，所述有源层与第一电极露出的表面连接。

可选地，所述在基底上依次形成第一电极、隔离层、有源层和栅绝缘层，包括：

在基底上形成第一电极；

在第一电极上形成隔离层，所述隔离层邻近有源层一侧露出所述第一电极的表面；

形成有源层，所述有源层的一部分设置在所述隔离层上，另一部分设置在所述基底上，且与第一电极露出的表面连接；