[发明专利]自适应温度和存储器参数抑制有效

专利信息
申请号: 201710388599.4 申请日: 2017-05-27
公开(公告)号: CN107767915B 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: D·盖胡;P-L·科;P·罗伊斯维;C·N·Y·叶;J·万;Y·李 申请(专利权)人: 闪迪技术有限公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 赵志刚;赵蓉民
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 自适应 温度 存储器 参数 抑制
【权利要求书】:

1.一种用于在存储器设备中进行温度抑制的方法,所述方法包括:

确定所述存储器设备的健康状况值;

基于所述存储器设备的所述健康状况值来修改多个温度抑制阈值,其中所述温度抑制阈值中的每个包括某温度,在该温度之上所述存储器设备被不同地抑制;以及

当所述存储器设备的温度超过所述温度抑制阈值中的每个时抑制所述存储器设备,其中所述抑制包括通过修改编程速度或编程电压而不禁止编程来降低所述存储器设备的性能,进一步地,其中所述温度抑制阈值中的每个与所述编程速度或编程值的不同修改相关联。

2.根据权利要求1所述的方法,其中从所述存储器设备中的温度传感器测量所述温度。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述健康状况值基于所述存储器设备的使用率被确定,进一步地,其中所述使用率包括编程/擦除周期的数量,即PE周期的数量。

4.根据权利要求3所述的方法,其中当所述PE周期低时所述温度抑制阈值中的至少一些增大并且其随着所述PE周期的增加而逐渐减小。

5.根据权利要求1所述的方法,其中所述多个温度抑制阈值包括不同的抑制级别,使得温度超过更高的温度抑制阈值时,所述性能的抑制被增加。

6.根据权利要求5所述的方法,其中性能中的降低对应于针对所述温度抑制阈值中的每个所增加的温度被增加。

7.根据权利要求1所述的方法,其中所述性能的降低进一步包括延迟命令执行和修改命令处理。

8.根据权利要求1所述的方法,其中所述存储器设备包括NAND存储器,并且所述抑制包括抑制存储器设备参数,所述存储器设备参数包括以下各项中的至少一个:时钟速率、闪存总线速度、通信方法、命令类型、命令设置、命令验证、速度裕度或操作电压。

9.一种存储器设备,包括:

温度传感器,其被配置为测量所述存储器设备的温度;

具有用于所述存储器设备的多个测试参数的测试模式矩阵,所述多个测试参数取决于所述温度,其中所述测试参数至少包括编程设置;以及

抑制电路,其被配置为基于所述温度来抑制所述存储器设备以降低交叉温度,其中所述交叉温度包括写入数据时的温度与读取数据时的温度的差。

10.根据权利要求9所述的存储器设备,其中所述编程设置包括编程速度和编程电压,进一步地其中所述测试参数还包括命令处理和命令执行时序。

11.根据权利要求9所述的存储器设备,其中所述抑制电路根据所述温度进行不同抑制。

12.根据权利要求9所述的存储器设备,其中所述抑制电路被配置为降低功率使用率,降低所述存储器设备的温度,改变性能以匹配生产驱动可变性或提高所述存储器设备的耐久性。

13.根据权利要求9所述的存储器设备,其中所述存储器设备包括三维存储器配置即3D存储器配置,并且其中控制器与闪存的操作和到闪存的存储相关联。

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