[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、成核层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，其特征在于，所述外延片还包括应力释放层，所述应力释放层包括至少一个第一子层，所述第一子层包括未掺杂的氮化镓层和P型掺杂的氮化镓层，所述应力释放层中P型掺杂剂的掺杂浓度低于所述P型氮化镓层中P型掺杂剂的掺杂浓度，所述应力释放层中P型掺杂剂的掺杂浓度为P型掺杂剂在所述应力释放层中平均的掺杂浓度，所述应力释放层层叠在所述成核层中，或者所述应力释放层层叠在所述成核层和所述未掺杂氮化镓层之间，或者所述应力释放层层叠在所述未掺杂氮化镓层中，或者所述应力释放层叠在所述未掺杂氮化镓层和所述N型氮化镓层之间。

2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，当所述应力释放层层叠在所述成核层中时，或者当所述应力释放层层叠在所述成核层和所述未掺杂氮化镓层之间时，所述第一子层的数量为1～5个；

当所述应力释放层层叠在所述未掺杂氮化镓层中时，或者当所述应力释放层叠在所述未掺杂氮化镓层和所述N型氮化镓层之间时，所述第一子层的数量为2～10个。

3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，当所述应力释放层层叠在所述成核层中时，或者当所述应力释放层层叠在所述成核层和所述未掺杂氮化镓层之间时，各个所述第一子层的厚度为30～50nm；

当所述应力释放层层叠在所述未掺杂氮化镓层中时，或者当所述应力释放层叠在所述未掺杂氮化镓层和所述N型氮化镓层之间时，各个所述第一子层的厚度为30～60nm。

4.一种如权利要求1～3任一项所述的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长缓冲层、成核层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，并在所述成核层和所述未掺杂氮化镓层的生长过程中生长应力释放层，所述应力释放层层叠在所述成核层中，或者所述应力释放层层叠在所述成核层和所述未掺杂氮化镓层之间，或者所述应力释放层层叠在所述未掺杂氮化镓层中，或者所述应力释放层叠在所述未掺杂氮化镓层和所述N型氮化镓层之间；所述应力释放层包括至少一个第一子层，所述第一子层包括未掺杂的氮化镓层和P型掺杂的氮化镓层，所述应力释放层中P型掺杂剂的掺杂浓度低于所述P型氮化镓层中P型掺杂剂的掺杂浓度，所述应力释放层中P型掺杂剂的掺杂浓度为P型掺杂剂在所述应力释放层中平均的掺杂浓度，所述应力释放层的生长温度为880℃～1080℃。