[发明专利]一种沟槽栅DMOS的制作方法

权利要求书

1.一种沟槽栅DMOS的制作方法，包括以下步骤：

步骤A：在N型衬底上生长N型外延层，然后在N型外延层中进行刻蚀形成沟槽；

步骤B：在步骤A制得沟槽的内表面及除去沟槽的N型外延层上表面形成栅氧化层；

步骤C：在步骤B制得的栅氧化层上沉积多晶硅层；

步骤D：将步骤C制得的多晶硅层进行表面平坦化处理，使得沟槽内多晶硅层表面与N型外延层上表面齐平；

步骤E：完成步骤D后，通过多次不同能量的离子注入操作将受主离子注入至N型外延层内形成体区；

步骤F：完成步骤E后，采用离子注入法将施主离子注入至N型外延层内形成源区，所形成源区的结深不超过体区的结深；

步骤G：完成步骤F后，在N型外延层表面沉积绝缘层，然后在绝缘层形成接触孔；

步骤H：采用离子注入法将受主离子通过步骤G制得的接触孔注入形成P⁺区；

步骤I：完成步骤H后，将样品进行快速热退火处理，退火温度为1000～1100℃，退火时间为1～60秒；

步骤J：完成步骤I后，在样品上、下表面分别沉积金属层，进而形成源极和漏极。

2.一种沟槽栅DMOS的制作方法，包括以下步骤：

步骤A：在P型衬底上生长P型外延层，然后在P型外延层中进行刻蚀形成沟槽；

步骤B：在步骤A制得沟槽的内表面及除去沟槽的P型外延层上表面形成栅氧化层；

步骤C：在步骤B制得的栅氧化层上沉积多晶硅层；

步骤D：将步骤C制得的多晶硅层进行表面平坦化处理，使得沟槽内多晶硅层表面与P型外延层上表面齐平；

步骤E：完成步骤D后，通过多次不同能量的离子注入操作将施主离子注入至P型外延层内形成体区；

步骤F：完成步骤E后，采用离子注入法将受主离子注入至P型外延层内形成源区，所形成源区的结深不超过体区的结深；

步骤G：完成步骤F后，在P型外延层表面沉积绝缘层，然后在绝缘层形成接触孔；

步骤H：采用离子注入法将施主离子通过步骤G制得的接触孔注入形成N⁺区；

步骤I：完成步骤H后，将样品进行快速热退火处理，退火温度为1000～1100℃，退火时间为1～60秒；

步骤J：完成步骤I后，在样品上、下表面分别沉积金属层，进而形成源极和漏极。

3.一种沟槽栅DMOS的制作方法，包括以下步骤：

步骤A：在N型衬底上生长N型外延层，通过多次不同能量的离子注入操作将受主离子注入至N型外延层内形成体区；

步骤B：完成步骤A后，采用离子注入法将施主离子注入至N型外延层内形成源区，所形成源区的结深不超过体区的结深；

步骤C：完成步骤B后，在N型外延层上进行刻蚀形成沟槽；

步骤D：在步骤C制得沟槽的内表面及除去沟槽的N型外延层上表面形成栅氧化层；

步骤E：在步骤D制得的栅氧化层上沉积多晶硅层；

步骤F：将步骤E制得的多晶硅层进行表面平坦化处理，使得沟槽内多晶硅层表面与N型外延层上表面齐平；

步骤G：在步骤F制得的N型外延层表面沉积绝缘层，然后在绝缘层形成接触孔；

步骤H：采用离子注入法将受主离子通过步骤G制得的接触孔注入形成P⁺区；

步骤I：完成步骤H后，将样品进行快速热退火处理，退火温度为1000～1100℃，退火时间为1～60秒；

步骤J：完成步骤I后，在样品上、下表面分别沉积金属层，进而形成源极和漏极。