[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一底电极；

一第一存储元件，设置在该底电极上，该第一存储元件包括一第一氧化物材料；

一第二存储元件，设置在该第一存储元件上，该第二存储元件包括不同于该第一氧化物材料的一第二氧化物材料；以及

一顶电极，设置在该第二存储元件上，该顶电极包括一顶电极材料，其中该第一氧化物材料和该第二氧化物材料中的至少一者为该顶电极材料的一氧化物。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一氧化物材料为氧化钨或氧化硅。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该底电极包括一底电极材料，且该第一氧化物材料为该底电极材料的一氧化物，其中该第二氧化物材料为该顶电极材料的该氧化物。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二氧化物材料为氧化钨、氧化钛、氧氮化钛、氧化铝、氧化镍、氧化铜、氧化锆、氧化铌、氧化铪、氧化钌、氧化铱、氧化钽、或氧氮化钽。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该顶电极材料为钨、钛、氮化钛、铝、镍、铜、锆、铌、铪、钌、铱、钽、或氮化钽。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一存储元件具有一第一厚度，该第二存储元件具有一第二厚度，且该第一厚度大于该第二厚度。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二存储元件所需的一操作电流低于该第一存储元件所需的一操作电流。

8.一种半导体结构的形成方法，包括：

在一底电极上形成一第一存储元件，该第一存储元件包括一第一氧化物材料；

在该第一存储元件上形成一第二存储元件，该第二存储元件包括不同于该第一氧化物材料的一第二氧化物材料；以及

在该第二存储元件上形成一顶电极，该顶电极包括一顶电极材料，其中该第一氧化物材料和该第二氧化物材料中的至少一者为该顶电极材料的一氧化物。

9.如权利要求8所述的形成方法，其中形成该第一存储元件的步骤包括：

通过氧化该底电极的一底电极材料，在该底电极上形成该第一氧化物材料。

10.如权利要求8所述的形成方法，其中形成该第二存储元件的步骤包括：

在该第一存储元件上形成一顶电极材料；以及

通过一氧化工艺，将该顶电极材料转换成该第二氧化物材料。