[发明专利]一种半埋入线路基板结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半埋入线路基板结构，包括：

半固化基板；

半埋入到所述半固化基板的两个表面中的半埋入线路；

其中，对于所述半固化基板的每个表面，所述半埋入线路的第一面位于与所述线路同侧的所述半固化基板的表面之上，所述半埋入线路的与所述第一面相对的第二面位于与所述线路同侧的所述半固化基板的表面之下，所述半埋入线路的侧面的一部分位于所述线路同侧的所述半固化基板的表面之上，所述半埋入线路的侧面的另一部分被所述半固化基板包裹，半埋入线路总高度为H，埋入所述半固化基板的高度为R，露出所述半固化基板的表面的线路高度为h，R和h的大小由线路底部树脂材料决定。

2.如权利要求1所述的半埋入线路基板结构，其特征在于，所述半固化基板为半固化绝缘树脂片。

3.如权利要求1所述的半埋入线路基板结构，其特征在于，所述半固化基板为BT或FR4半固化片。

4.如权利要求1所述的半埋入线路基板结构，其特征在于，还包括与所述半固化基板附连的电路基板，所述电路基板包含：内部线路、埋置的芯片、无源器件和/或将所述半埋入线路电连接到所述电路基板的导电通孔。

5.如权利要求1所述的半埋入线路基板结构，其特征在于，所述半埋入线路基板两面都包含有半埋入到所述半固化基板中的半埋入线路。

6.如权利要求1所述的半埋入线路基板结构，其特征在于，所述半埋入线路位于两层半固化基板之间。

7.如权利要求1所述的半埋入线路基板结构，其特征在于，所述半埋入线路埋入半固化基板的深度由半固化基板内部结构决定。

8.如权利要求1所述的半埋入线路基板结构，其特征在于，还包括在所述半埋入线路上通过BOT倒装焊的芯片。

9.一种制造半埋入线路基板结构的方法，包括：

通过第一压合工艺将半固化基板和铜箔压合到电路基板，其中所述第一压合工艺保持所述半固化基板的半固化状态不变；

去除所述半固化基板上的铜箔；

通过化学镀铜或溅射种子层在已去除表面铜箔的所述半固化基板表面沉积形成电镀种子层，化学镀铜工艺包括：中和、酸浸、清洁、微蚀、预浸、活化、还原、化铜，水洗，但不进行除胶和蓬松；

在所述半固化基板电镀种子层上光刻形成电镀掩膜和电镀窗口；

在所述电镀窗口中电镀形成导电线路；

去除所述电镀掩膜；

去除所述电镀掩膜下方的电镀种子层；以及

通过第二压合工艺压合所述导电线路，其中所述第二压合工艺使所述导电线路半埋入所述半固化基板中，并使所述半固化基板的半固化材料固化。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，采用闪蚀法去除所述电镀种子层，以减少刻蚀液对导电线路的腐蚀。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，导电线路压入半固化基板材料的深度取决于半固化基板材料。

12.如权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述半固化基板固化后，还包括形成通孔、电镀填充导电孔、制作阻焊层、制作表面涂敷有机保护皮膜OSP或NiAu/NiPdAu、单面或两面倒装焊芯片。