[发明专利]一种微焊盘上叠加或并排进行自动楔焊的方法有效
申请号: | 201710391286.4 | 申请日: | 2017-05-27 |
公开(公告)号: | CN107170691B | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 罗建强;王辉;文泽海 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 |
主分类号: | H01L21/603 | 分类号: | H01L21/603;H01L23/49 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 钱成岑 |
地址: | 610036 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微焊盘上 叠加 并排 进行 自动 楔焊 方法 | ||
1.一种微焊盘上叠加或并排进行自动楔焊的方法,其特征在于,包括以下步骤:
A、采用普通键合模式,将第一引线的第一键合点键合在第一基材的焊盘上,并将第一引线的第二键合点键合在第二基材的微焊盘上;
B、用改进后自动楔焊劈刀,采用普通键合模式,将第二引线的第一键合点键合在第一基材的焊盘上,并将第二引线的第二键合点叠加键合在所述第一引线第二键合点上方或并排键合在第一引线第二键合点的临近位置;
C、重复上述操作B操作直至完成最后一根引线的叠加或并排键合;
其中,后一根引线的第二键合点焊接高度设定值须比前一根引线的第二键合点焊接高度设定值高;各引线的第一键合点为独立键合,相互之间为不叠加键合;所述引线的数量至少为2根,叠加键合不超过5根,并排键合不超过10根;
所述引线为线宽在100微米以下的铜引线、金引线、铝引线或银引线;
所述改进后的自动楔焊劈刀包括劈刀主体、劈刀端部以及线孔,所述劈刀端部位于劈刀主体的末端,所述线孔贯穿劈刀主体并与主体侧边形成夹角,所述劈刀端部的侧面形成有缺口。
2.如权利要求1所述一种微焊盘上叠加或并排进行自动楔焊的方法,其特征在于,所述第一引线的键合可以采用普通自动楔焊劈刀也可以采用改进后的自动楔焊劈刀。
3.如权利要求1所述一种微焊盘上叠加或并排进行自动楔焊的方法,其特征在于,所述后一根引线的第二键合点焊接高度设定值比前一根引线的第二键合点焊接高度设定值高30微米以下。
4.如权利要求1所述一种微焊盘上叠加或并排进行自动楔焊的方法,其特征在于,所述引线键合采用半自动楔焊机或全自动楔焊机。
5.如权利要求1所述一种微焊盘上叠加或并排进行自动楔焊的方法,其特征在于,所述缺口为菱形缺口或圆弧形缺口。
6.如权利要求1所述一种微焊盘上叠加或并排进行自动楔焊的方法,其特征在于,所述第一基材或第二基材为半导体器件、陶瓷电路基板或有机基板。
7.如权利要求1所述一种微焊盘上叠加或并排进行自动楔焊的方法,其特征在于,所述微焊盘的单边尺寸在200微米以下。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造