[发明专利]包含有机半导体层的有机发光二极管

权利要求书

1.一种有机发光二极管，其包含阳极、阴极、至少一个发射层和至少一个有机半导体层，其中所述至少一个发射层和至少一个有机半导体层被布置在所述阳极与阴极之间，并且所述至少一个有机半导体层包含实质上金属的稀土金属掺杂剂和第一基质化合物，所述第一基质化合物包含至少两个菲咯啉基。

2.根据权利要求1的有机发光二极管，其中所述第一基质化合物是式1的化合物：

其中R¹至R⁷各自独立地选自：氢、取代或未取代的C₆至C₁₈芳基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的C₁至C₁₆烷基、取代或未取代的C₁至C₁₆烷氧基、羟基或羧基，和/或其中所述相应的R¹至R⁷的相邻基团可能彼此键合以形成环；

L¹是单键或选自：C₆至C₃₀亚芳基、C₅至C₃₀亚杂芳基、C₁至C₈亚烷基或C₁至C₈烷氧基亚烷基；

Ar¹是取代或未取代的C₆至C₁₈芳基或吡啶基；并且

n是2至4的整数，其中括号内的所述n个菲咯啉基中的每一个可以彼此相同或不同。

3.根据权利要求1或2的有机发光二极管，其中所述有机半导体层被布置在所述发射层与阴极之间。

4.根据权利要求1至3任一项的有机发光二极管，其中所述有机半导体层与所述阴极直接接触。

5.根据权利要求1至3的有机发光二极管，其中所述有机发光二极管包含第一发射层和第二发射层，其中所述有机半导体层被布置在所述第一发射层与第二发射层之间。

6.根据权利要求5的有机发光二极管，其中所述有机发光二极管还包含p-型电荷产生层，其中所述有机半导体层被布置在所述第一发射层与p-型电荷产生层之间。

7.根据权利要求6的有机发光二极管，其中所述有机半导体层与所述p-型电荷产生层直接接触。

8.根据权利要求5至7的有机发光二极管，其中所述有机发光二极管包含第一有机半导体层和第二有机半导体层，其中所述第一有机半导体层被布置在所述第一发射层与第二发射层之间，并且所述第二有机半导体层被布置在所述阴极与最接近所述阴极的发射层之间。

9.根据前述权利要求任一项的有机发光二极管，其还包含被布置在所述至少一个发射层与至少一个有机半导体层之间的电子传输层。

10.根据前述权利要求任一项的有机发光二极管，其还包含p-型电荷产生层，其中所述p-型电荷产生层被布置在所述有机半导体层与阴极之间。

11.根据前述权利要求任一项的有机发光二极管，其中所述阴极对可见光发射是透明的。

12.根据前述权利要求任一项的有机发光二极管，其中所述阴极包含第一阴极层和第二阴极层。

13.根据前述权利要求任一项的有机发光二极管，其中所述实质上金属的稀土金属掺杂剂是零价金属掺杂剂，优选地选自Sm、Eu、Yb。

14.根据前述权利要求任一项的有机发光二极管，其中n为2或3，优选为2。

15.根据前述权利要求任一项的有机发光二极管，其中L¹是单键。

16.根据前述权利要求任一项的有机发光二极管，其中Ar¹是亚苯基。