[发明专利]用于MAGFET传感器的自旋电流方法

权利要求书

1.一种用于操作磁场敏感MOSFET的方法，所述磁场敏感MOSFET具有可操作地耦合到偏置电路的栅极端子、衬底端子以及至少三个负载端子；所述方法包括：

在第一配置、第二配置和第三配置中旋转地连接所述偏置电路和所述磁场敏感MOSFET，以在第一操作模式、第二操作模式和第三操作模式中旋转地操作所述磁场敏感MOSFET；

在所述第一操作模式、所述第二操作模式和所述第三操作模式中，在所述磁场敏感MOSFET处对输出电压进行分接；

在所述第一操作模式、所述第二操作模式和所述第三操作模式中，将在所述磁场敏感MOSFET处进行分接的所述输出电压进行组合；以及

遍及在所述第一操作模式、所述第二操作模式与所述第三操作模式之间的交替，将栅-衬电压或衬-源电压中的至少一个维持恒定;

其中所述栅-衬电压在所述栅极端子与所述衬底端子之间；

其中所述衬-源电压在所述至少三个负载端子中的充当源极端子的负载端子与所述衬底端子之间，

其中，当在所述第一操作模式中进行操作时，所述至少三个负载端子中的第一负载端子充当所述源极端子，并且所述至少三个负载端子中的第二负载端子和第三负载端子充当分裂漏极端子，

其中，当在所述第二操作模式中进行操作时，所述第二负载端子充当所述源极端子，并且所述第一负载端子和所述第三负载端子充当所述分裂漏极端子，以及

其中，当在所述第三操作模式中进行操作时，所述第三负载端子充当所述源极端子，并且所述第一负载端子和所述第二负载端子充当所述分裂漏极端子。

2.如权利要求1所述的方法，

其中，在所述第一配置中，所述偏置电路将传感器电流提供给所述第一负载端子，或者从所述第一负载端子吸收所述传感器电流，并且

其中，在所述第二配置中，所述偏置电路将所述传感器电流提供给所述第二负载端子，或者从所述第二负载端子吸收所述传感器电流。

3.如权利要求2所述的方法，其中，经过所述磁场敏感MOSFET的沟道区的所述传感器电流在所述第一配置和所述第二配置中是相同的。

4.如权利要求1所述的方法，

其中，所述磁场敏感MOSFET包括四个负载端子，

其中，在所述第一操作模式中，所述偏置电路生成从所述第一负载端子传到所述第二负载端子的传感器电流，同时在所述第三负载端子和所述四个负载端子中的第四负载端子之间对所述输出电压进行分接，并且

其中，在所述第二操作模式中，所述偏置电路生成从所述第三负载端子到所述第四负载端子地经过所述磁场敏感MOSFET的传感器电流，同时在所述第一负载端子和所述第二负载端子之间对所述输出电压进行分接。

5.如权利要求1所述的方法，

其中，所述磁场敏感MOSFET包括三个负载端子；

其中，在所述第一操作模式中，所述偏置电路生成经过所述第一负载端子的传感器电流，并且

其中，所述传感器电流在所述磁场敏感MOSFET的沟道区中被分裂，使得所述传感器电流的第一小部分经过所述第二负载端子，并且所述传感器电流的第二小部分经过所述第三负载端子，

同时，在所述第二负载端子和所述第三负载端子之间对所述输出电压进行分接。

6.如权利要求4或5所述的方法，其中，所述传感器电流是第一传感器电流；

其中，在所述第二操作模式中，所述偏置电路生成经过所述第二负载端子的第二传感器电流，并且

其中，所述第二传感器电流在所述磁场敏感MOSFET的沟道区中被分裂，使得所述第二传感器电流的第一小部分经过所述第三负载端子，并且所述第二传感器电流的第二小部分经过所述第一负载端子，

同时，在所述第三负载端子和所述第一负载端子之间对所述输出电压进行分接。

7.如权利要求1所述的方法，进一步包括：基于从所述第一配置旋转到所述第二配置，旋转电流流动方向。