[发明专利]一种改善GaAs基LED芯片切割过程中掉管芯的方法

权利要求书

1.一种改善GaAs基LED芯片切割过程中掉管芯的方法，其特征在于，包括如下步骤：

a)利用锯片在LED芯片表面进行半切，形成纵横交错的切割槽，将LED芯片P面电极等间距分隔；

b)对半切后的LED芯片进行烘烤；

c)对烘烤后的LED芯片进行蓝膜贴膜；

d)将蓝膜贴膜后的LED芯片进行二次烘烤；

e)将二次烘烤后的LED芯片进行全切，形成N个独立的管芯；

f)将全切后的LED芯片清洗后进行扩膜。

2.根据权利要求1所述的改善GaAs基LED芯片切割过程中掉管芯的方法，其特征在于：所述步骤a)中LED芯片半切时，锯片先沿与芯片大解理边垂直的方向进行半切，再沿平行大解理边的方向进行全面半切。

3.根据权利要求1所述的改善GaAs基LED芯片切割过程中掉管芯的方法，其特征在于：所述步骤a)中P面半切时锯片的刀高设定为120-150μm，锯片切割速度为10-70mm/s，锯片刀刀刃伸出量为550-600μm，切割槽宽度为20-25μm。

4.根据权利要求1或2或3所述的改善GaAs基LED芯片切割过程中掉管芯的方法，其特征在于：所述步骤a)中LED芯片半切的深度为其厚度的20%-25%。

5.根据权利要求1所述的改善GaAs基LED芯片切割过程中掉管芯的方法，其特征在于：所述步骤b)中的烘烤温度为50±3℃，烘烤时间为110±10s。

6.根据权利要求1所述的改善GaAs基LED芯片切割过程中掉管芯的方法，其特征在于：所述步骤c)中采用规格为SPV-224，尺寸为220mm×100mm的蓝膜，贴膜机加热温度为50±3℃。

7.根据权利要求1所述的改善GaAs基LED芯片切割过程中掉管芯的方法，其特征在于：所述步骤d)中烘烤温度为70±3℃，烘烤时间为110±10s。

8.根据权利要求1所述的改善GaAs基LED芯片切割过程中掉管芯的方法，其特征在于：所述步骤e)中全切时锯片的刀高设定为40-100μm，锯片切割速度为10-40mm/s，锯片刀刀刃伸出量为550-600μm，切割槽宽度为15-20μm。

9.根据权利要求1所述的改善GaAs基LED芯片切割过程中掉管芯的方法，其特征在于：所述步骤f)中LED芯片清洗时间为110±10S，扩膜温度为75±3℃。