[发明专利]高耐久性极紫外光掩模

权利要求书

1.一种反射掩模，包括：

衬底；

反射多层，设置在所述衬底上；

抗氧化阻挡层，设置在所述反射多层的顶部钼膜上并且直接接触所述顶部钼膜，并且所述抗氧化阻挡层是具有小于氧(O₂)的动力学直径的平均原子间距离的非晶结构；以及

吸收层，设置在所述抗氧化阻挡层上，并且根据集成电路布局图案化所述吸收层。

2.根据权利要求1所述的反射掩模，其中，所述抗氧化阻挡层的所述平均原子间距离小于3埃。

3.根据权利要求1所述的反射掩模，其中，所述抗氧化阻挡层对极紫外(EUV)光具有大于0.67的反射率。

4.根据权利要求1所述的反射掩模，其中，所述抗氧化阻挡层包括钌和铂的合金(RuPt合金)。

5.根据权利要求4所述的反射掩模，其中，所述抗氧化阻挡层的所述钌和铂的合金具有在从1：1至3.5：1的范围内的Ru：Pt质量比。

6.根据权利要求1所述的反射掩模，其中：

所述抗氧化阻挡层包括钛、硅和锆的至少一种；

所述抗氧化阻挡层包括被所述吸收层覆盖的第一部分和未被所述吸收层覆盖的第二部分；

通过氧和氮的至少一种掺杂所述抗氧化阻挡层的所述第一部分；以及

不通过任何的氧和氮掺杂所述抗氧化阻挡层的所述第二部分。

7.根据权利要求1所述的反射掩模，其中，所述衬底包括低热膨胀材料(LTEM)；并且所述低热膨胀材料选自由熔融二氧化硅、熔融石英(SiO₂)掺杂的二氧化钛(TiO₂)、熔融石英、氟化钙(CaF₂)和它们的组合构成的组。

8.根据权利要求1所述的反射掩模，其中，所述反射多层包括多个交替的钼-硅(Mo/Si)膜。

9.根据权利要求1所述的反射掩模，其中，所述反射多层包括多个交替的钼-铍(Mo/Be)膜。

10.根据权利要求1所述的反射掩模，其中，所述吸收层包括选自由氮化钽硼(TaBN)、铬(Cr)、氧化铬(CrO)、氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、钽(Ta)、钛(Ti)或铝铜(Al-Cu)、钯、氧化铝(AlO)、钼(Mo)构成的组的材料。

11.根据权利要求1所述的反射掩模，还包括形成在所述吸收层上的保护层，其中，根据所述集成电路布局图案化所述保护层和所述吸收层两者。

12.根据权利要求1所述的反射掩模，其中，所述抗氧化阻挡层包括钌和金属的合金，所述金属选自由Po、Hg、Os、Rh、Pd、Ir和Pt构成的组。

13.一种反射掩模，包括：

低热膨胀材料的衬底；

反射多层，形成在所述衬底上，其中，所述反射多层包括具有顶部Mo膜的多个交替的钼-硅(Mo/Si)膜；

材料的覆盖层，形成在所述反射多层上，其中，所述覆盖层设置在所述反射多层的所述顶部Mo膜上并且直接接触所述顶部Mo膜；以及

吸收层，设置在所述覆盖层上，并且根据集成电路布局图案化所述吸收层。

14.根据权利要求13所述的反射掩模，其中，所述材料包括钌(Ru)。

15.根据权利要求13所述的反射掩模，其中，所述材料包括钌和铂的合金(RuPt合金)，并且所述钌和铂的合金具有在从1：1至3.5：1的范围内的Ru：Pt质量比。