[发明专利]多通道硅基开关滤波器组及其制作方法

权利要求书

1.一种多通道硅基开关滤波器组，其特征在于：包括硅基载体层(1)、硅基引线保护层(2)、硅基外框层(3)、硅基盖板层(4)和开关芯片(6)；硅基载体层(1)、硅基引线保护层(2)、硅基外框层(3)和硅基盖板层(4)自下而上依次堆叠连接，硅基载体层(1)、硅基引线保护层(2)、硅基外框层(3)和硅基盖板层(4)均设有通孔(7)，硅基载体层(1)、硅基引线保护层(2)、硅基外框层(3)和硅基盖板层(4)上表面均设有金属层(5)；开关芯片(6)安装在硅基载体层(1)上，开关芯片(6)通过引线和硅基引线保护层(2)连接，硅基引线保护层(2)和硅基外框层(3)之间设有滤波器。

2.根据权利要求1所述的多通道硅基开关滤波器组，其特征在于：所述硅基载体层(1)、硅基引线保护层(2)、硅基外框层(3)和硅基盖板层(4)厚度均为250微米。

3.根据权利要求1所述的多通道硅基开关滤波器组，其特征在于：所述通孔(7)直径为120微米。

4.根据权利要求1所述的多通道硅基开关滤波器组，其特征在于：所述金属层(5)厚度为3.5微米。

5.根据权利要求1所述的多通道硅基开关滤波器组，其特征在于：所述开关芯片(6)为砷化镓芯片。

6.根据权利要求1所述的多通道硅基开关滤波器组，其特征在于：所述开关芯片(6)包括输入单刀多掷开关芯片和输出单刀多掷开关芯片。

7.根据权利要求1所述的多通道硅基开关滤波器组，其特征在于：所述滤波器为叉指无源滤波器。

8.根据权利要求1所述的多通道硅基开关滤波器组，其特征在于：所述引线为键合金丝(8)。

9.一种多通道硅基开关滤波器组的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

在硅基基板上下表面涂覆光刻胶，形成掩膜层，硅基基板包括硅基载体层(1)、硅基引线保护层(2)、硅基外框层(3)和硅基盖板层(4)；

在硅基基板上制造通孔(7)；

对硅基基板的上下表面进行光刻显影电镀，形成金属腐蚀图形；

对硅基基板的上下表面电镀加厚金属层(5)；

将硅基载体层(1)和硅基引线保护层(2)进行晶圆级键合连接，硅基引线保护层(2)和硅基外框层(3)进行晶圆级键合连接，在硅基引线保护层(2)和硅基外框层(3)的接触面形成叉指滤波器；

安装开关芯片(6)至硅基载体层(1)上，用键合金丝(8)实现开关芯片(6)和硅基引线保护层(2)的互联；

将硅基盖板层(4)与经过晶圆级键合的硅基载体层(1)、硅基引线保护层(2)和硅基外框层(3)再次进行晶圆级键合，硅基载体层(1)、硅基引线保护层(2)、硅基外框层(3)和硅基盖板层(4)自下而上依次堆叠连接。

10.根据权利要求9所述的多通道硅基开关滤波器组的制作方法，其特征在于：在所述硅基基板上利用深反应离子刻蚀工艺制造通孔(7)。