[发明专利]磷化铟扩散方法有效
| 申请号： | 201710401346.6 | 申请日： | 2017-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN107359219B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 于浩;张宇;陈宏泰;车相辉;王晶 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/18;H01L21/223 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 李荣文 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磷化 扩散 方法 | ||
1.一种磷化铟扩散方法，其特征在于包括如下步骤：
将磷化铟待扩散圆片放入MOCVD设备中，调节MOCVD的反应室总气体流量至所需值，氮气气氛转换为氢气气氛后升温，通入保护气体进行表面保护，继续升温并恒温保持一段时间；
通入二甲基锌，流量调节至所需值，控制MOCVD设备的温度进行线性下降，进行锌扩散；
温度降至430℃-470℃以下时切断保护气体，在氢气气氛下降温至室温，氢气气氛转换为氮气后取出所述圆片。
2.如权利要求1所述的磷化铟扩散方法，其特征在于：将磷化铟待扩散圆片放入MOCVD设备中，调节MOCVD的反应室总气体流量至所需值，氮气气氛转换为氢气气氛后升温，温度升到430℃-470℃后通入磷烷进行表面保护，继续升温升至560℃-600℃，并恒温保持1.5min-3min。
3.如权利要求2所述的磷化铟扩散方法，其特征在于：反应室总气体流量为20000sccm-50000sccm，反应室压力为50mbar-500mbar。
4.如权利要求2所述的磷化铟扩散方法，其特征在于：所述磷烷流量为50sccm-500sccm。
5.如权利要求2所述的磷化铟扩散方法，其特征在于：温度升到450℃后通入磷烷进行表面保护，继续升温升至580℃，并恒温保持2min。
6.如权利要求1所述的磷化铟扩散方法，其特征在于：通入二甲基锌，流量调节至所需值，控制温度从560℃-600℃到480℃-520℃线性下降，进行锌扩散。
7.如权利要求6所述的磷化铟扩散方法，其特征在于：所述二甲基锌流量为20sccm-200sccm。
8.如权利要求6所述的磷化铟扩散方法，其特征在于：通入二甲基锌流量调节至所需值，控制温度从580℃到500℃线性下降，进行锌扩散。
9.如权利要求1所述的磷化铟扩散方法，其特征在于：温度降至450℃以下时切断保护气体的保护，在氢气气氛下降温至室温，氢气气氛转换为氮气后取出所述圆片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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