[发明专利]单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片的工艺在审
| 申请号： | 201710402195.6 | 申请日： | 2017-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN108972919A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 张进 | 申请（专利权）人： | 江苏拓正茂源新能源有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00;B28D5/02;B28D5/04;B24B1/00;B24B9/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 221600 江苏省徐州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 单晶硅棒 抛光硅片 抛光 加工 单晶生长 端面磨削 加工效率 设备要求 研磨 切片 倒角 滚磨 清洗 腐蚀 | ||
【权利要求书】：
1.一种单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片的工艺，其特征在于：所述的工艺包括以下步骤：
切断
切除单晶硅棒的头部、尾部，将单晶硅棒切成的长度；
外径磨削
采用外圆磨床对切断后的单晶硅进行外径滚磨；
端面磨削
采用数控单晶硅端面磨床对所述单晶硅进行端面磨削；
切片
将所述磨削后的单晶硅棒切成预设几何尺寸的薄晶片；
倒角
采用倒角机将切割成的晶片税利边修整成圆弧形，防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度；
研磨
采用双面研磨机对倒角后的单晶硅晶片进行研磨；所述研磨采用的原料包括：研磨浆料和滑浮液；
腐蚀
采用化学腐蚀去除晶片表面受加工应力而形成的损伤层；
抛光
采用抛光机对腐蚀处理后的所述单晶硅片表面进行抛光；
清洗
采用RCA湿式化学洗净方法对所述抛光后的单晶硅片进行清洗。
2.根据权利要求1所述的单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片的工艺，其特征在于所述的切断步骤中是采用四方切割机进行切断。
3.根据权利要求1所述的单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片的工艺，其特征在于所述的切片步骤中是采用内园切割机或线切割机进行切片。
4.根据权利要求1所述的单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片的工艺，其特征在于所述的研磨浆料的成份包括：氧化铝、铬砂和水。
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