[发明专利]研磨垫及研磨方法有效
| 申请号： | 201710403043.8 | 申请日： | 2017-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN107471088B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 简毅;施文昌;白昆哲;陈劲弛 | 申请（专利权）人： | 智胜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/20 | 分类号： | B24B37/20;B24B1/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 研磨 方法 | ||
1.一种研磨垫，其特征在于，包括：
研磨层；以及
检测窗，位于所述研磨层中，其中在温度30℃时，所述检测窗的模数大于所述研磨层的模数；以及在温度50℃时，所述检测窗的模数小于所述研磨层的模数，其中所述模数定义为应力除以应变，所述温度30℃定义为所述研磨垫进行研磨程序前的状态，所述温度50℃定义为所述研磨垫进行研磨程序时的状态。
2.根据权利要求1所述的研磨垫，其中所述检测窗在温度30℃的模数为介于200到800MPa，且所述检测窗在温度50℃的模数为介于50到200MPa。
3.根据权利要求1所述的研磨垫，其中所述研磨层在温度30℃的模数为介于200到700MPa，且所述研磨层在温度50℃的模数为介于100到500MPa。
4.根据权利要求1所述的研磨垫，其中所述研磨层的分子结构中的交联点间的分子质量Mc为500至1000，且所述检测窗的分子结构中的交联点间的分子质量Mc为小于500。
5.一种研磨垫，其特征在于，包括：
研磨层；以及
检测窗，位于所述研磨层中，其中在温度50℃时，所述研磨层的模数与所述检测窗的模数的比值大于或等于1.4，其中所述模数定义为应力除以应变，所述温度50℃定义为所述研磨垫进行研磨程序时的状态。
6.根据权利要求5所述的研磨垫，其中所述检测窗在温度30℃的模数为介于200到800MPa，且所述检测窗在温度50℃的模数为介于50到200MPa。
7.根据权利要求5所述的研磨垫，其中所述研磨层在温度30℃的模数为介于200到700MPa，且所述研磨层在温度50℃的模数为介于100到500MPa。
8.根据权利要求5所述的研磨垫，其中所述研磨层的分子结构中的交联点间的分子质量Mc为500至1000，且所述检测窗的分子结构中的交联点间的分子质量Mc为小于500。
9.一种研磨垫，其特征在于，包括：
研磨层；以及
检测窗，位于所述研磨层中，其中在温度30℃时，所述检测窗的模数大于所述研磨层的模数；在温度50℃时，所述检测窗的模数小于所述研磨层的模数，所述检测窗在温度50℃的模数与所述检测窗在温度30℃的模数的比值小于或等于0.5，其中所述模数定义为应力除以应变，所述温度30℃定义为所述研磨垫进行研磨程序前的状态，所述温度50℃定义为所述研磨垫进行研磨程序时的状态。
10.根据权利要求9所述的研磨垫，其中所述检测窗在温度30℃的模数为介于200到800MPa，且所述检测窗在温度50℃的模数为介于50到200MPa。
11.根据权利要求9所述的研磨垫，其中所述研磨层在温度30℃的模数为介于200到700MPa，且所述研磨层在温度50℃的模数为介于100到500MPa。
12.根据权利要求9所述的研磨垫，其中所述研磨层的分子结构中的交联点间的分子质量Mc为500至1000，且所述检测窗的分子结构中的交联点间的分子质量Mc为小于500。
13.一种研磨方法，适于用以研磨物件，其特征在于，所述研磨方法包括：
提供根据权利要求1至12中任一项所述的研磨垫；
对所述物件施加压力以压置于所述研磨垫上；以及
对所述物件及所述研磨垫提供相对运动。
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