[发明专利]一种双面成型的封装方法在审
申请号: | 201710403484.8 | 申请日: | 2017-06-01 |
公开(公告)号: | CN107123604A | 公开(公告)日: | 2017-09-01 |
发明(设计)人: | 何志宏;吕娇;林正忠 | 申请(专利权)人: | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 上海光华专利事务所31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 214437 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双面 成型 封装 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体封装技术领域,特别是涉及一种双面成型的封装方法及封装件。
背景技术
由于智能手机等终端设备向轻薄短小化的发展越来越快,专门针对于小型化、薄膜化以及低成本化的晶圆级封装技术的重要性不断提高。扇出型晶圆级封装(FOWLP:Fan-out WLP)技术目前最适合高要求的移动/无线市场,并且对其它关注高性能和小尺寸的市场,也具有很强的吸引力。
成型工艺是扇出型晶圆级封装的关键步骤。对于传统的成型工艺,依据裸芯的放置方向分为两种成型方式,面朝上(face up)成型和面朝下(face down)成型。然而不论是面朝上成型还是面朝下成型,每次成型加工只能制作一片成型晶圆,这导致了目前较低的每小时产量(UPH,output per hour)。对于大批量的生产加工,由于目前较低的UPH,成型设备的吞吐量会对产品产量造成限制。
因此,如何提高成型工具的UPH,提高成型设备的吞吐量,已成为本领域技术人员亟待解决的一个重要问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术,本发明的目的在于提供一种双面成型的封装方法,用于解决现有技术中成型设备吞吐量较低的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种双面成型的封装方法,包括以下步骤:
S1在载体的上下两面分别固定两组裸芯;
S2将上下两面固定了裸芯的载体放置于成型模具内,填充成型复合物,使载体的上下两面都被成型复合物包裹,然后合模封装成型;
S3脱模,并将封装成型的裸芯与载体分离。
可选地,步骤S1包括如下子步骤:
S1101提供一载体,所述载体具有第一表面和第二表面,在所述载体的第一表面上固定第一组裸芯;
S1102在所述载体的第一表面上形成保护层,所述保护层包裹所述第一组裸芯;
S1103在所述载体的第二表面上固定第二组裸芯;
S1104去除所述保护层。
进一步优选地,所述载体为平板型,材料选自硅、氧化硅、金属、玻璃或陶瓷中的一种或多种。
进一步优选地,所述保护层为聚合物或胶带;采用旋涂或粘贴胶带的方法形成。
进一步优选地,去除所述保护层的方法为消融、剥离、刻蚀、化学剂溶解或胶带释放。
进一步优选地,采用键合或贴装的方法将所述第一组裸芯和第二组裸芯固定在所述载体上。
可选地,步骤S1包括如下子步骤:
S1201提供第一载体和第二载体,在所述第一载体的正面固定第一组裸芯,在所述第二载体的正面固定第二组裸芯;
S1202利用粘结层将所述第一载体的背面和所述第二载体的背面粘结在一起,使所述第一载体和第二载体粘结为一体作为成型的载体,所述第一组裸芯和第二组裸芯分别位于粘结为一体的载体的上下两面。
进一步优选地,所述第一载体和第二载体的材料选自硅、氧化硅、金属、玻璃或陶瓷中的一种或多种;所述第一载体和第二载体均为平板型。
进一步优选地,所述粘结层为聚合物或胶带,采用旋涂或粘贴胶带的方法形成。
进一步优选地,采用键合或贴装的方法在所述第一载体的正面固定第一组裸芯,以及在所述第二载体的正面固定第二组裸芯。
可选地,步骤S1中,两组裸芯两两相对的固定在载体的上下两面。
可选地,所述成型模具包括顶凹槽和底凹槽,分别用于填充包裹载体上表面和下表面的成型复合物。
可选地,所述成型复合物为可固化材料,包括聚合物基材料、树脂基材料、聚酰亚胺、环氧树脂。
可选地,形成所述成型复合物的方法为采用真空层压或旋涂的压缩成型、印刷、传递模塑或液封成型。
可选地,在所述成型模具表面形成有释放层。
如上所述,本发明的双面成型的封装方法,具有以下有益效果:
本发明的双面成型封装方法结合传统的面朝上(face up)成型和面朝下(face down)成型模具,可以在一次合模成型中双面成型,即同时完成两组裸芯(die)的封装成型,大大提高了成型工具的UPH,提高了成型设备的吞吐量,从而提高了封装产量。
附图说明
图1显示为本发明提供的双面成型的封装方法的示意图。
图2a-2d显示为本发明实施例一中在载体的上下两面分别固定两组裸芯的示意图。
图3a-3d显示为本发明实施例二中在载体的上下两面分别固定两组裸芯的示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造