[发明专利]制造薄膜晶体管的方法及其脱氢装置和包括该方法制造的薄膜晶体管的有机发光显示设备

权利要求书

1.一种制造多晶硅层的方法，所述方法包括：

减少腔室中的至少一部分氧以将腔室中的氧含量从第一值改变为100ppm或更低的第二值；其中减少腔室中的所述至少一部分氧包括：

将氧含量控制气体注入到腔室中；和

自腔室排放所述一部分氧与至少一部分被注入的氧含量控制气体；然后将其上形成有非晶硅层的基板插入到腔室中；

在腔室中对非晶硅层执行脱氢工艺；和

结晶化非晶硅层以形成多晶硅层；

所述方法还包括在脱氢工艺期间将氧含量控制气体注入到所述腔室中，

其中在执行脱氢工艺之前以第一流速注入氧含量控制气体，以及其中在脱氢工艺期间以小于第一流速的第二流速注入氧含量控制气体。

2.如权利要求1所述的方法，其中在至少一部分的脱氢工艺期间，腔室中的氧含量被保持在100ppm或更低。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述氧含量控制气体包括氮(N₂)气或氩(Ar)气。

4.如权利要求1所述的方法，其中在腔室的第一端注入氧含量控制气体和在腔室的第二端排放一部分氧与至少一部分氧含量控制气体，其中被注入的氧含量控制气体自腔室的第一端向腔室的第二端在基板上方并跨过基板流动。

5.如权利要求4所述的方法，其中腔室的第一端和第二端在与基板的表面平行且高于基板的表面的平面中彼此对应。

6.如权利要求1所述的方法，其中减少腔室中的至少一部分氧包括降低腔室中的气体压力。

7.如权利要求6所述的方法，其中腔室中降低的气体压力是1atm或更低。

8.如权利要求1所述的方法，其中经由激光退火工艺结晶化非晶硅层。

9.如权利要求1所述的方法，其中执行脱氢工艺包括加热非晶硅层。

10.一种形成薄膜晶体管(TFT)的方法，所述薄膜晶体管包括栅极、多晶硅层、栅极绝缘层、源极和漏极，其中形成多晶硅层包括：

在基板上形成非晶硅层；

将氧含量控制气体注入到腔室中以降低腔室中的氧含量；

自腔室排放一部分氧和至少一部分被注入的氧含量控制气体；然后

将具有非晶硅层的基板插入到腔室中；

在腔室中对非晶硅层执行脱氢工艺；和

结晶化非晶硅层以形成多晶硅层；

所述方法还包括在脱氢工艺期间将氧含量控制气体注入到腔室中，其中在执行脱氢工艺之前以第一流速注入氧含量控制气体，以及其中在脱氢工艺期间以小于第一流速的第二流速注入氧含量控制气体。

11.如权利要求10所述的方法，其中腔室中的氧含量从第一值降低至100ppm或更低的第二值。