[发明专利]一种Ti3SiC2/Cu复合导电粉体的制备方法

说明书

本发明公开的一种Ti₃SiC₂/Cu复合导电粉体的制备方法：其步骤为：步骤1、对Ti₃SiC₂粉体依次进行醇洗、粗化、敏化、活化、水洗以及烘干处理，得到预处理Ti₃SiC₂粉体；步骤2、利用CuSO₄·5H₂O、EDTANa₂、NaOH及2‑2'‑联吡啶配制出铜镀液；步骤3、利用经步骤2配制出的铜镀液对经步骤1得到的预处理Ti₃SiC₂粉体进行镀覆处理；步骤4、经步骤3后，对镀覆处理后剩余的物质进行过滤，对滤掉液体后剩余的部分进行烘干处理，得到Ti₃SiC₂/Cu复合导电粉体。利用本发明的制备方法得到的Ti₃SiC₂/Cu复合导电粉体具有较低的密度、良好的稳定性以及高导电性。

技术领域

本发明属于导电材料或电子浆料制备方法技术领域，具体涉及一种 Ti₃SiC₂/Cu复合导电粉体的制备方法。

背景技术

随着电子技术的发展，越来越多的电子器件朝着柔性化的方向发展，如：智能服装、机器人皮肤、可卷曲的电子书、应变传感器、可拉伸的太阳能电池等。目前，已经广泛应用的导电膜多是在玻璃陶瓷等硬质衬底材料上制备的，硬质衬底材料存在质脆、易碎及不易变形等缺点，在很大程度上限制了其应用，已无法满足新一代电子设备的需求，因此新型的柔性导电材料亟需开发。

导电填料对材料的导电性能起到决定性的作用。从现有文献的报道来看，柔性导电材料主要以金属纳米线、石墨烯、CNTs等为导电填料，但是由于高昂的成本，复杂的工艺，或不能进行批量生产等因素的限制，离实际应用仍有一定的差距。因此，开发性能良好、低成本、能量产的导电填料变得十分重要。

Ti₃SiC₂新型三元层状化合物是目前研究最广泛的，最具代表性的 M_n+1AX_n相物质(其中M为过渡金属，A为Ⅲ或Ⅳ主族元素，X为C或N)。 Ti₃SiC₂材料是典型的导电陶瓷，不仅具有高强度、高硬度、良好的热稳定性、抗氧化、耐腐蚀等陶瓷特性，同时也具有金属良好的导热、导电和易加工特性，具有广泛的应用前景。将Ti₃SiC₂与传统的导电材料复合后制成导电填料，一方面能降低材料的密度，同时也能仍然保持优良的导电性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种Ti₃SiC₂/Cu复合导电粉体的制备方法，制备出的复合导电粉体具有较低的密度、良好的稳定性以及高导电性。

本发明所采用的技术方案是，一种Ti₃SiC₂/Cu复合导电粉体的制备方法，具体按照以下步骤实施：

步骤1、对Ti₃SiC₂粉体依次进行醇洗、粗化、敏化、活化、水洗以及烘干处理，得到预处理Ti₃SiC₂粉体；

步骤2、利用CuSO₄·5H₂O、EDTANa₂、NaOH及2-2'-联吡啶配制出铜镀液；

步骤3、利用经步骤2配制出的铜镀液对经步骤1得到的预处理Ti₃SiC₂粉体进行镀覆处理；

步骤4、经步骤3后，对镀覆处理后剩余的物质进行过滤，对滤掉液体后剩余的部分进行烘干处理，得到Ti₃SiC₂/Cu复合导电粉体。