[发明专利]具有过流保护功能的光模块有效
| 申请号： | 201710404543.3 | 申请日： | 2017-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN107231199B | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 何世蛟 | 申请（专利权）人： | 上海市共进通信技术有限公司 |
| 主分类号： | H04B10/69 | 分类号： | H04B10/69;H02H7/20 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁;郑暄 |
| 地址： | 200235 上海市徐*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光模块 雪崩光电二极管 强光 过流保护功能 光组件 电源芯片 过流保护 升压电路 阈值电流 光电流 预设 检测 损害 应用 | ||
1.一种具有过流保护功能的光模块，包括雪崩光电二极管(APD)以及升压电路，所述的雪崩光电二极管(APD)设置在光模块中的光组件(BOSA)中，且该雪崩光电二极管(APD)与所述的升压电路相连接，所述的升压电路给所述的雪崩光电二极管(APD)提供反向偏压使所述的雪崩光电二极管(APD)处于工作状态，其特征在于，所述的雪崩光电二极管(APD)以及升压电路之间还设置有一过流保护电路，所述的过流保护电路作用于所述的升压电路中的电源芯片的使能端，所述的过流保护电路在该光模块接收的光功率满足一预设范围时使能所述的电源芯片，使所述的升压电路给所述的雪崩光电二极管(APD)提供能供其工作的反向偏压，并在该光模块接收的光功率不满足该预设范围时关闭所述的电源芯片，使所述的升压电路停止给所述的雪崩光电二极管(APD)提供能供其工作的反向偏压，直至该光模块接收的光功率再次满足该预设范围。
2.根据权利要求1所述的具有过流保护功能的光模块，其特征在于，所述的过流保护电路为所述的光模块设定一阈值电流，所述的光模块接收的光功率满足该预设范围时，流入所述的雪崩光电二极管(APD)的电流小于该阈值电流，由所述的过流保护电路使能所述的升压电路中的电源芯片；所述的光模块接收的光功率不满足该预设范围时，流入所述的雪崩光电二极管(APD)的电流大于该阈值电流，由所述的过流保护电路关闭所述的升压电路中的电源芯片。
3.根据权利要求2所述的具有过流保护功能的光模块，其特征在于，所述的过流保护电路包括设置于所述的电源芯片使能端的上拉电阻(R1)，用以在光模块接收的光功率满足预设范围时通过该上拉电阻(R1)获取使能电平(VCC)使能该电源芯片，所述的过流保护电路还包括一第四电阻(R4)、PMOS管和NMOS管，其中所述的雪崩光电二极管(APD)通过该第四电阻(R4)连接至所述的升压电路，所述的PMOS管的栅极和源极连接在所述的第四电阻(R4)的两端，所述的NMOS管的栅极和源极连接在一第二分压电阻(R3)的两端，该第二分压电阻(R3)一端接地，另一端通过一第一分压电阻(R2)连接至所述的PMOS管的漏极，该NMOS管的漏极连接至所述的电源芯片的使能端。
4.根据权利要求3所述的具有过流保护功能的光模块，其特征在于，上拉电阻(R1)的阻值满足其产生的使能电平(VCC)能够使能该电源芯片的要求，使电源在流入所述的雪崩光电二极管(APD)的电流小于所述的阈值电流时能够使能所述的电源芯片，且所述的PMOS管的栅源导通电压和NMOS管的栅源导通电压均与所述的预设范围相匹配。
5.根据权利要求3所述的具有过流保护功能的光模块，其特征在于，所述的PMOS管和NMOS管为具有快速开启关断的特性的MOS管，开关速度在数十纳秒的量级。
6.根据权利要求1所述的具有过流保护功能的光模块，其特征在于，所述的升压电路为一DC-DC升压电路。
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